о у цьом випадка нижчих уровня фермі в ТР немає донорних рівнів, переходами з якіх би була зумовлена ??висока концентрація носіїв заряду, яка має місце в ціх Сполука.
Для ОЦІНКИ ЕНЕРГІЇ іонізації донорних центрів в ТР складів х= 0,02.0,03, де за Даними, наведення в розділі IV т * / m 0 = 0,005, вікорістаємо відоме з Теорії воднеподібніх домішок співвідношення [4]:
(eB). (3)
Підставляючі в (3.3) Величина т * / m 0 и ? , одержані з оптичних ДОСЛІДЖЕНЬ, опис у розділі IV (для < i> х =0,02.0,03 т * / т 0 = 0,005;?=16,5), одержимо E=2,6 10-4 еВ.
Добре відомо, что в легованих напівпровідніках спостерігаються области концентрацій домішок, коли провідність при низьких температурах характерізується енергією актівації Е [5-7]. Значення Е звічайній пов'язано з наявністю енергетичного зазору между с-зоною и зоною, что вінікає внаслідок суттєвого перекриття Хвильового функцій електронів на донорах. ДІАПАЗОН концентрацій домішок при якіх локалізовані домішкові Рівні зліваються в домішкову зону оцінюються з порівняння середньої відстані между домішкамі
(4)
з ефективного борівськім радіусом а B [4]. У даного випадка, при зміні концентрації домішок в межах 1018 - 1019см - 3, r d змінюється від З 10-6 до 3 10-7см.
Радіус борівської орбіті а B в твердому тілі в ( т * / т 0 ) ? раз більшій чем у атомі ВОДНОГО и складає:
, (5)
де а0 - Радіус Першої борівської орбіті для атома водний (a0 = 0,53 10-8) см. З (4) для Вказаною Вище значення ( m * / m 0 ) i?, маємо а B = 1,9 10-5 см.
Таким чином нерівність а B >> r d всегда віконується Із значний запасом. У випадка, ЯКЩО () 1/3 >> 1, де п - концентрація вільніх електронів, домішкова зона злівається з дозволеного зоною.
У нашому випадка = 7 1015см - 3, тому при звічайній концентраціях n, Які є в ТР, наведена Вище нерівність всегда віконується.
На рис.2 наведені залежності при концентрації електронів п ( крива 1) i їх рухлівості ? п = ? R х ( крива 2) від складу ТР (Т=300К). Як Бачимо, кріві 1 і 2 мают Складний немонотонний характер. У области концентрацій х= 0,02.0,03 спостерігається мінімум на крівій п (х) i максимум на залежності ? (х). ТАКИЙ Хід n (х) можна пов «язати з утвореннями в ТР нейтральних комплексів. Як вже згадувать у розділі II, при вірощуванні ТР атоми Сd и Ті вводилися у розплав в еквіатомному співвідношенні, альо низька температура кіпіння и Високого Тиску парів кадмію (порівняно з іншімі взаємодіючімі елементами ) приводили до его ВТРАТИ. Внаслідок цього у розплаві всегда містівся Деяк надлишок атомів телур, что и зумовлювало електронний тип провідності крісталів. Сумарная концентрація N i іонізованіх домішок Ті + і Сd - в ТР для шкірного складу розраховувалась по Формулі Брукса-Херрінга [8]. З того факту, что на залежності N i від складу спостерігається мінімум (рис.3,...
