- розтин контактних вікон до першого шару металу (ф-ш.8), заповнення їх вольфрамом; г - напилювання другого шару металу і формування в ньому розводки (ф-ш.9). осадження і оплавлення діелектрика.
Висновок
За результатами розрахунків в напівпровідниковій структурі МДП виявлена ??нелінійна залежність порогового напруги від концентрації домішок на проміжку (10 ^ 13-10 ^ 17) см ^ - 3. Граничні значення диференціальної ємності за даних умов одно від (2 ,14-3, 835) * 10 ^ - 4 і побудували енергетичну діаграму в режимі сильної інверсії.
транзистор діелектрик напівпровідник діаграма
Бібліографічний список
1 Зі С. Фізика напівпровідникових приладів: У 2-х кн./Пер. з англ. 2-е перероб. і доп. видання.- М.: Світ, 1984. Кн.1.- 456 с. Кн.2.- 456 с.
Захаров А.Г., Какурін Ю.Б., Філіпенко Н.А. Збірник завдань з дисципліни «Фізичні основи мікро-електроніки».- Таганрог: Изд-во ТРТУ, 2005. - 91 с.
Коваленко А.А. Основи мікроелектроніки: Учеб. посібник для студ. вузів. М.: Academia, 2006. - 326 с.
Барибін А.А. Електроніка та мікроелектроніка: фізико-технологічні основи: Учеб. посібник для вузів.- М.: Физматлит, 2006. - 423 с.
Мікроелектроніка: Навчальний посібник для втузів. У 9-ти кн./Под ред. Л.А. Коледова. Кн.1. Фізичні основи функціонування виробів мікроелектроніки / О.В. Митрофанов, Б.М. Симонов, Л.А. Коледов.- М.: Вища школа, 1987. - 186 с.
Ракітін В.В. Інтегральні мікросхеми на КМОП-транзисторах: навчальний посібник: Москва, 2007. - 307с
