бливості високого рівня інжекції. У германієвих діодах омічний ділянка крутіший, оскільки рухливість носіїв в германии значно вище, ніж в кремнії. p align="justify">
Зміна ВАХ при зміні температури. Зворотний струм залежить від матеріалу - у германієвих початковий струм більше, ніж у кремнієвих, так як у кремнієвих струм визначається в основному процесами рекомбінації носіїв в переході, який переважає над процесами теплової генерації. Із збільшенням температури струми збільшуються згідно із співвідношенням:
I 0 (T) = I 0 (T 0 ) e ?? Tz ,
де ? Si = 0,13 K -1 ;
? Ge = 0,09 K -1 ;
? T = T - T 0 , T 0 = 300 K.
Пряма гілка характеристик зсувається вліво і стає більш крутий. Але зрушення незначний. Для оцінки температурної залежності прямої гілки використовують величину ? - температурний коефіцієнт напруги (ТКН). ? =? U /? T і показують зміну прямої напруги (? U) за рахунок зміни ? Т = 1 0 З , при деякому значенні прямого струму. Для германієвих і кремнієвих діодів ? = -2 мВ/ 0 З .
В
Малюнок 5.17 - Залежність струмів при зміні температури
З графіків видно, що в германієвих діодах із зростанням температури U обр = U проб зменшується, а у кремнієвих діодів зростає. Значення зворотного струму зростає приблизно в 2 рази на кожні 10 0 З у діодів зроблених на базі германію. Якщо змінити температуру з 20 0 С до 70 0 С, то струм зворотний зростає в 32 рази. У кремнієвих діодів струм збільшується приблизно в 3 рази.
3. Фізичні процеси в контактах ПП з різною шириною забороненої зони (гетеропереходи), метал - ПП
Особливість квантоворозмірних структур: фотопровідність, фотогальванічний ефект, ефект Холла. Контакти ПП - метал. Структура і властивості контактів метал-напівпровідник залежать в першу чергу від взаємного розташування рівнів Фермі в тому і іншому шарі. На малюнку 5.10 вгорі показані зонні діаграми розділених шарів, а внизу - зонні діаграми відповідних контактів (після В«дотикуВ» шарів і встановлення рівноваги). br/>В
а - контакт з напівпровідником р-типу; б - контакт з напівпровідником n-типу
Малюнок 5.18 - Зонні діаграми випрямляючих контактів металу з напівпровідником
Випрямляючі контакти. На малюнку 5.18, а показані зонні діаграми для випадку, коли ? Fm >? Fp . Таке співвідношення означає, що заповненість зони провідності в напівпровіднику менше, ніж заповненість такого ж енергетичного ділянки в металі. Тому після В«дотикуВ» шарів частина електронів перейде з металу в напівпровідник р-типу. Поява додаткових електронів в приповерхневому шарі напівпровідника призводить до посиленої рекомбінації. В результаті зменшується кількість основних носіїв - дірок, і поблизу кордону з металом В«оголюютьсяВ» некомпенсовані негативні іони акцепторів. З'являється електричне поле, яке перешкоджає подальшому припливу електронів і забезпечує больцманівських рівновагу в області контакту. Енергетичні рівні виявляються викривленими В«внизВ».
