y"> На малюнку 5.18, б показані зонні діаграми для випадку ? Fm
Область викривлення зон (тобто область об'ємних зарядів) в обох випадках має протяжність, зазвичай до-0, 2 мкм.
Контакти такого роду в даний час створюються напиленням металу на напівпровідник у вакуумі.
Обмін електронами між металом і напівпровідником зазвичай характеризують не різницею В«вихіднихВ» рівнів Фермі, а різницею робіт виходу. Роботою виходу електрона з твердого тіла називають енергію, необхідну для вильоту за межі кристала (тобто для термоеміссіі). На зонних діаграмах робота виходу є енергетичне В«відстаньВ» між рівнем вільного електрона поза твердого тіла і рівнем Фермі. На малюнку 5.18 роботи виходу з металу і з напівпровідника позначені відповідно через ? M і ? S . Різниця робіт виходу ? MS =? M -? S виражену в вольтах, називають контактною різницею потенціалів.
Залежно від співвідношення робіт виходу ? M і ? S електрони переходять в той чи інший шар. Якщо ? M <0), то електрони переходять з металу в напівпровідник (малюнок 5.18, а), якщо ж ? M >? S (тобто ? MS > 0), то електрони переходять з напівпровідника в метал (малюнок 5.18, б).
Ступінь викривлення енергетичних зон поблизу поверхні (малюнок 5.18) характеризується величиною рівноважного поверхневого потенціалу ? S0 < span align = "justify">. Якщо знехтувати роллю поверхневих станів, то величина ? S0 дорівнюватиме контактної різниці потенціалів ? MS .
Обидва контакту, показані на малюнку 5.18, характерні наявністю збіднених шарів у пріконтактной шарі напівпровідника. Тут концентрація основних носіїв менше порівняно з рівноважною, що збереглася далеко від контакту. Отже, такий пріконтактной шар володіє підвищеним питомим опором і тому визначає опір всієї системи. p align="justify"> Потенційний бар'єр у пріконтактной шарі називають бар'єром Шоттки. Його висота ? S0 є аналогом величини ? ? 0 в р-n-переході. Залежно від полярності прикладеної зовнішньої напруги потенціал ? S і відповідно опір пріконтактной шару будуть змінюватися.
Так, якщо напруга докладено плюсом до металу, а мінусом до напівпровідника, то потенційний бар'єр в контакті на малюнок 5.18, а підвищується. Тоді пріконтактной шар ще більше збіднюється основними носіями - дірками і, отже, буде мати підвищений опір в порівнянні з рівноважним. Значить, напруга з цією полярністю є для даного контакту зворотним. В контакті на малюнку 5.18, б при тій же полярності напруги потенційний бар'єр знижується, пріконтактной шар збагачується основними носіями - електронами і його опір буде менше рівноважного. Значить, напруга з цією полярністю є для даного контакту прямим. p align="justify"> Таким чином контакти, показані на малюнку 5.18, володіють розпрямлюючими властивостями і можуть бути основою діодів. Діоди, що використ...
