ів ланцюга зворотного зв'язку
Розраховуємо коефіцієнт необхідний для вибору ОС. При вибраних вхідних і вихідних ланцюгах коефіцієнт підсилення підсилювача КF визначається величиною внесеного загасання ланцюга ОС a0=I/B0. Для розрахунку елементів ланцюга ОС досить знати B0, і вибрати схему чотириполюсника цього ланцюга. Для розрахунку елементів ланцюга скористаємося формулами
(5.9)
(5.10)
Отже, ми отримуємо значення за якими будемо вибирати чотириполюсник ланцюга ОС. Із запропонованих варіантів вибираємо найбільш прийнятний варіант.
Ом
Після аналізу всіх варіантів схем робимо вибір на схемі, зображеної на рис. 5.3.
Малюнок 5.3 - Схема чотириполюсника ланцюга ОС
На малюнку нижче зображена повна схема чотириполюсника з розділовими і блокувальними конденсаторами.
Малюнок 5.4 - Повна схема ланцюга ОС
5.3 Розрахунок конденсаторів високочастотного обходу
Для зменшення асимптотичних втрат паралельно ланцюгах пасивної частини схеми включають конденсатори високочастотного обходу Са, як показано на рис. 5.1.
Ємність цих конденсаторів вибирається таким чином, щоб вони не робили помітного впливу в робочому діапазоні частот. Для цього опір конденсатора на верхній частоті робочого діапазону підсилювача має бути ще значно більше, ніж опір R ланцюга, паралельно якій включений конденсатор, т.е.
(5.11)
Ємності конденсаторів, включених паралельно обмоткам вхідного (Cа1) або вихідного (Са2) трансформаторів, будемо розраховувати щодо опору Rг1опт або Rн відповідно, величини яких визначаються на етапі ескізного розрахунку, а Са3 щодо відповідного опору кола ОС.
Обчислимо значення Cа1, Са2 і Са3:
пФ
пФ
пФ
6. Складання принципової схеми
При складанні повної принципової схеми підсилювача необхідно найбільш раціонально скомпонувати і з'єднати між собою основні функціональні вузли підсилювача, схеми яких були вибрані і розраховані в попередніх розділах.
У додатку вказано варіант принципової схеми підсилювача. При гальванічної ОС через Rб, що охоплює перші каскад напруга зсуву на базу першого транзистора подається за іншою схемою, де R б виконує функцію елемента гальванічної ОС Rб, а також елемента послідовної ОС у вхідному ланцюзі підсилювача із загальною комбінованої ОС по сигналу і приймається рівним його опору R б. Сб підключає R б за сигналом до загального проводу і приймається рівною
(6.1)
пФ
Для розрахунку шунтуючих конденсаторів емітера скористаємося наступною формулою:
(6.2)
мкФ
мкФ
мкФ
Висновок
У цій роботі розраховувався підсилювач з одноканальної комбінованою зворотним зв'язком. Застосування ОС зменшує коефіцієнт посилення напруги; гармоніки, фон і перешкоди, внесений підсилювачем. ОС зменшує спотворення і перешкоди, що виникають в підсилювачі, нестабільність посилення в стільки ж разів, у скільки зменшується коефіцієнт посилення підсилювача.
У цьому курсової роботі проводився розрахунок трансформаторного підсилювача потужності. Але потрібно відзначити, що трансформатор є небажаним елементом підсилювачів потужності, так як має великі габарити і вага, а також відносно складний у виготовленні. Тому в даний час найбільше поширення знаходять безтрансформаторні підсилювачі потужності.
Список літератури
1. Бойко В.І. та ін. Схемотехніка електронних систем. Аналогові та імпульсні пристрої. СПб .: БХВ-Петербург, 2 004.
. Гусєв В.Г., Гусєв М.Ю. Електроніка.- М .: Вища. шк., 1991. - 495с.
. Лачін В.І., Савелов Н.С. Електроніка Ростов н/Д: вид-во «Фенікс», 2 002.
. Мамонкин І.Г. Підсилювальні пристрої М., «Зв'язок», 1977
. Опадчій Ю.Ф. та ін. Аналогова та цифрова електроніка.- М .: Радіо і зв'язок, 1997. - 768с
. Павлов В.М., Ногін В.Н. Схемотехніка аналогових електронних пристроїв.- М .: Радіо і зв'язок, 1997. - 320с.
. Прянишников В.А. Електроніка: Курс лекцій.- СПб .: КОРОНА принт, 1998. - 400с.
. Степаненко І.П. Основи мікроелектроніки: Навчальний посібник для вузів.- М .: Лабораторія Базових Знань, 2000. - 488с
. Титце У., Шенк К. Напівпровідникова схемотехника: Довідкове керівництво - М .: Світ, 1982. - 512с.
. Цикин Г.С. Підсилювальні пристрої М., «Зв'язок», 1971
