p> де q1вих=q1вх/S=0,057/10=0,0057 - коефіцієнт пульсацій на виході фільтра.
IC 0m=0,0057? 513? 2? 3,14? 6? 50? +5200? 10-6=28,6 А
7) Залежно від значення С01 і амплітуди струму формується батарея конденсаторів з ємністю С01=5200 мкФ і більше, допустимим по амплітуді струмом IC 0m=28,6 А і більше і напругою 800 В і більше для трифазної мостової схеми.
Використовуємо конденсатори типу КС2 - 0,38 - 36 - 3У3 з номінальними параметрами: Uном=380 В, Сном=800 мкФ, Q=36 квар.
Для отримання ємності С01=5200 мкФ збираємо батарею з 13 пар конденсаторів, з'єднаних між собою паралельно. У кожній парі по 2 послідовно з'єднаних конденсатора для збільшення напруги.
5. РОЗРАХУНОК СНАББЕРА
Так як IGBT комутуються з високою швидкістю, то напруга швидко зростає, особливо при замиканні транзистора, і може досягти критичного значення, здатного викликати пробою або колектора, або затвора транзистора. Щоб мінімізувати перевищення напруги (перенапруження) і запобігти аварії IGBT, потрібна установка снаббера (демпфирующей ланцюга).
За табл. 56.29 [1] вибираємо наступну схему снаббера, що володіє особливостями: а) мале число елементів, б) низькі втрати потужності, в) підходить для конденсаторів середньої і малої ємності.
Рис. 4. Схема ланцюгів снаббера.
) Ємність конденсатора снаббера визначається напругою другого кидка? U ?, який не повинен перевищувати 25 В. Вираз для розрахунку ємності представляється у вигляді:
С? L1? (IC /? U?) 2, (30)
де L1 - індуктивність проводів між електролітичним конденсатором і IGBT-модулем (значення L1 має бути 50 нГн менш);=Ic max=133,5 A - відключається струм.
С? 50? 10-9? (133,5/25) 2=1,43 мкФ
Вибираємо для снаббера конденсатор з хорошими високочастотними характеристиками, малою власною індуктивністю, високими імпульсними струмами і малим тангенсом кута втрат типу К78 - 2 ємністю С=1,5 мкФ.
) Вибір опору резистора проводиться з умови мінімуму коливань струму колектора при включенні IGBT:
(31)
де Lsn - індуктивність ланцюгів снаббера, Гн (10 нГн менш);
С - ємність снаббера, Ф.
) Необхідна потужність резистора снаберра:
Р=0,5? С? ? U2? Fsw, (32)
де? U - перенапруження, В, яке не повинно перевищувати 60 В.
Р=0,5? 1,5? 10-6? 602? 104=25,7 Вт
Вибираємо для снаббера резистор штампований стрічковий типу ЛФ10 з номінальним опором при t=20 0С R=0,2 Ом і тривалим допустимим струмом Iдоп=140 А.
Дійсна потужність резистора снаббера:
Р=Iдоп2? R=1402? 0,2=3920 Вт
Струм, що протікає через діод снаббера, імпульсний. Він майже дорівнює відключається току колектора Ic max і триває до 1 мкс.
Ставлення максимуму струму через снаббер до середнього близько (20 - 50): 1, діод повинен бути високочастотним з часом відновлення замикаючих властивостей trr=0,3 мкс і менше.
Вибираємо бистровосстанавлівающійся діод типу ВЧ - 160.
Список використаних джерел
. Електротехнічний довідник: У 4-х т. Т.4/За заг. ред. професорів МЕІ В.Г. Герасимова та ін. - М .: Изд-во МЕІ, +2002.
. Електротехнічний довідник: У 4-х т. Т.2/За заг. ред. професорів МЕІ В.Г. Герасимова та ін. (Гл. Ред. І.Н.Орлов). М .: Изд-во МЕІ, +1998.
. Довідник по електричним машинам./За заг. ред. І.П.Копи-лова, Б.К.Клокова.- М .: Вища, 1989.
. Тиристорні перетворювачі частоти в електроприводі./Под ред. Р.С.Сарбатова.- М .: Енергія, 1980.
. Електропривод змінного струму з частотним керуванням/Ю.Бюттер, Ю.М.Гусяцкій, А.В.Кудрявцев та ін. Під ред. Г.А. Щукіна.- М .: Изд-во МЕІ, 1989.
