align="justify"> I к=F (U кб) | I е=const
Для схеми з ПРО характерно розташування початкової області характеристик I лівіше осі ординат (рис. 2, б). Це обумовлено тим, що електричне поле в колекторному переході транзистора визначається сумою внутрішньої контактної різниці потенціалів j про і зовнішньої напруги U кб. При U кб=0 і заданому струмі емітера дірки переносяться в колектор з бази під дією внутрішнього поля колекторного р-n-переходу і створюють струм колектора I к. Щоб зменшити струм I до, потрібно створити зустрічний потік дірок з колектора в базу, тобто шляхом зміни полярності напруги змістити колекторний перехід в прямому напрямку і перевести його в режим інжекції носіїв заряду (в режим емітера). При подачі деякої напруги позитивної полярності U кб (на II рис. 2, б відкладається вліво від точки 0) потоки дірок через колекторний перехід будуть взаємно скомпенсовані і струм I к=0. Природно, що зі збільшенням струму. I е для забезпечення I к=0 необхідно подати напругу U кб більшої величини. Цим пояснюється зсув вліво початкових ділянок характеристик із збільшенням струму I е.
Особливістю характеристик в області II є слабка залежність струму колектора I к від напруги U кб. Струм колектора визначається струмом емітера.
Деяке збільшення струму Ік при збільшенні негативної напруги Uкб обумовлюється збільшенням коефіцієнта передачі струму емітера a внаслідок возникаю щего ефекту модуляції товщини базового шару (ефекту модуляції бази), а також деякого зростання зворотного струму Iко. Ефект модуляції бази пов'язаний з розширенням колекторного переходу за рахунок збільшення об'ємного заряду в ньому, викликаного підвищенням зворотної напруги на колекторному переході, яке практично дорівнює Uкб. Оскільки розширення переходу відбувається головним чином за рахунок базового шару, як більш високоомного, то підвищення напруги Uкб призводить до зменшення товщини базового шару, а отже, до зменшення числа рекомбінацій дірок з електронами в ньому, збільшенню коефіцієнта a, і відповідно струму колектора Ік.
Деякий зростання струму Ік на вихідних характеристиках при підвищенні напруги Uкб внаслідок збільшення коефіцієнта a за рахунок ефекту модуляції бази характеризується диференціальний опір колекторного переходу
яке може бути знайдено з колекторних (вихідних) характеристик як відношення збільшень напруг і струму. Для малопотужних транзисторів величина rкб - складає 0,5 - 1 МОм,
При - Iе=0 залежність Ik=F (Uкб) являє собою зворотний гілка ВАХ колекторного р-n переходу. Зворотний струм колекторного р-n-переходу визначає складову Iко у колекторно струмі транзистора.
В області П вихідні характеристики практично лінійні, опір rкб можна прийняти незмінним і залежність Ik=F (Uкб) можна представити в аналітичній формі:
(2)
і тим самим уточнити співвідношення, отримане без урахування ефекту модуляцій бази.
Наявність складової Iко є однією з головних причин температурної залежності вихідних характеристик транзистора.
Для транзистора існує межа підвищення колекторного напруги через можливого електричного пробою колекторного переходу (область III), який може перейти в тепловий пробій. Величина допустимої напруги Uкб вказується в довідниках.
ВХІДНІ характеристики транзистора в схемі з ПРО (рис. 2, в) являють собою залежність I е=F (U ЕБ) | U кб=const і по вигляду близькі до прямої гілки ВАХ р-n переходу (діода). Вхідна характеристика, знята при U кб=0 проходить через початок координат. Характеристики, зняті при великих напругах U кб, розташовуються лівіше і вище. Це обумовлюється ефектом модуляції бази, що призводить до підвищення градієнта концентрації дірок в базі, виникненню внутрішнього зворотного зв'язку і збільшення струму I е. Вхідні характеристики транзистора характеризуються вхідним диференціальним опором опором
На рис. 3.а показана Т-подібна схема заміщення транзистора в фізичних параметрах, відображає взаємозв'язок збільшень струмів і напруг на висновках транзистора в активній режимі. Схема містить такі елементи: R е - диференціальний опір емітерного переходу, rеjт/Iе; rк - диференціальний опір колекторного переходу; aIе - джерело струму, керований струмом емітера, який відображає основне підсилювальне властивість транзистора - залежність струму колектора від струму емітера; rб -об'ємних опір бази (становить 100 - 400 Ом залежно від типу транзистора).
Статичні характеристики транзистора, включеного за схемою С ОЕ
У схемі про ОЕ (рис. 4, а) висновок емітера є загальним для вхідний і вихідний ланцюгів транзистора. Напруга Uеб визначає напругу на емітерний перехід. Напруга на колекторному переході визначається як різниця:
Uкб=Uке - Uбе.
ВИХІДНІ характеристики транзистора в схемі з ОЕ визначають ...
