а посилення є незворотнім, а зміни зворотного струму можуть бути оборотними і необоротними.
Протони і електрони впливають на характеристики транзисторів також як і нейтронне опромінення.
В
Вплив радіації на коефіцієнт посилення
Максимальний інтегральний потік частинок Ф, який може витримувати транзистор для заданого зміни параметра b 0 , визначається зі співвідношення:
, (1)
де f а - гранична частота підсилення по струму в схемі з загальною базою;
b 0 - коефіцієнт посилення по струму в схемі з загальним емітером (до початку опромінення);
b 0 про - Коефіцієнт посилення по струму в схемі з загальним емітером (після опромінення);
до - постійна, що залежить від типу транзистора (нейтр/с)/см 2 .
Таблиця 6.
Значення коефіцієнта к.
Матеріал
Тип провідності транзистора
до
Германій n
p-n-p
(4,2 В± 0,2) * 107
Германій p
n-p-n
(1,8 В± 0,2) * 107
Кремній n
p-n-p
(3,1 В± 0,4) * 106
Кремній p
n-p-n
(4,6 В± 3,3) * 106
Як видно з таблиці найбільшу радіаційну стійкість мають германієві pnp транзистори. Вони за інших рівних умов витримують потік швидких нейтронів на 1 - 2 порядки більше, ніж кремнієві. Орієнтовно для оцінки радіаційної стійкості можна користуватися діаграмою.
Транзистори
База
Кремнієві
fа ВЇ
великий
товщини
середньої
товщини
тонка
Германієві
fа ВЇ
великий
товщини
середньої
товщини
тонка
1010
1011
1012
1013
1014 нейтр
см2
2,5 * 105
2,5 * 106
2,5 * 107
2,5 * 108
2,5 * 109
Р
В
Ліві кордону прямокутників відповідають тим значенням потоків та доз, при яких стають помітними незворотні зміни, а праві кордону - з...
