Напруга змінюється в межах В± 10%, то на віході стабілізатора коливання напруги Uн становіть В± 0,1%. Побудова навантажувально прямих при зміні напруги мережі в межах В± 10% здійснюється путем паралельного зсуну навантажувальної характеристики при номінальній напрузі мережі відповідно вліво и вправо на 0,1 U. За помощью цієї побудова можна з'ясувати, чи за таких коливання напруги мережі Забезпечують умови стабілізації, тоб, чі точки Перетин зсуненіх навантажувально характеристик з ВАХ стабілітрона НЕ Прокуратура: за Межі значень струмів стабілітрона Іст.мін и Іст.макс. p align="justify"> При зміні температурами Напруга стабілізації змінюється різно. У слабколегованіх напівпровідніках Напруга пробою при зростанні температурами зростає, а сільнолегованіх Температурна залежність пов язана Зі температурно залежністю ширини запретної Зони.
3. Біполярні транзистори
.1 Побудова та принцип Дії
Біполярній транзистор - це напівпровідніковій прилад, что Складається з трьох областей з типами електропровідності, что чергуються, и Придатний для Посилення потужності.
Біполярні транзистори, что випускають в Данії годину, можна класіфікуваті за Наступний ознакой:
Г? За матеріалом: германієві и кремнієві;
Г? за типом провідності областей: р-n-р і npn;
Г? за потужністю: малою (Рмах ВЈ 0, 3Вт), Середньому (Р мах 1,5 Вт) І Великий потужністю (Р мах > 1,5 Вт);
Г? за частотами: нізькочастотні, середньочастотні, вісокочастотні и СВЧ.
У біполярніх транзисторах струм візначається рухом носіїв заряду двох тіпів: електронів и дірок (або Основними и неосновних). Звідсі їх назва - біполярні. p align="justify"> У Данії годину виготовляють и застосовуються Виключно транзистори з площини р-n-переходами.
Пристрій площинах біполярного транзистора показань схематично на рис. 3.1. br/>В
Рис 3.1. Площінній біполярній транзистор: а) pnp тип, б) npn тип
ВІН є пластинками германію або кремнію, в якій Створено три области з різною електропровідністю. У транзистора типу n-р-n середня область має діркову, а крайні области - Електрон електропровідність. p> транзисторах типу р-n-р мают середню область з електронною, а крайні области з дірковою електропровідністю.
Середня область транзистора назівається базою, одна крайня область - емітером, Інша - колектором. Таким чином в транзісторі є два р-n-переходу: емітерній - между емітером и базою и Колекторная - между базою и колектором. Площа емітерного переходу менше площі Колекторная переходу. p> Емітером назівається область транзистора призначеня Якої є інжекція носіїв заряду в базу. Колектором назівають область, призначеня Якої є екстракція носіїв заряду з бази. Базою є область, в якові інжектуются емітером неосновні для цієї области носії заряду. p> Концентрація основних носіїв заряду в емітері у багатая разів больше концентрації основних носіїв заряду в базі, а їх концентрація в колекторі декілька менше концентрації в емітері. Тому провідність емітера на декілька порядків вища за провідність бази, а провідність колектора декілька менше провідності емітера. p> Від бази, емітера и колектора зроблені виводи. Перелогових від те, Який з виводів є загально для вхідного и віхідного ланцюгів, розрізняють три схеми включення транзистора: Із загальною базою (ЗБ), загально емітером (ЗЕ), загально колектором (ЗК). p> Вхідній, або что управляє, ланцюг служити для управління роботом транзистора. У віхідному, або керованого, ланцюгу Прокуратура: посілені коливання. Джерело підсілюваніх Коливань включається у вхідній ланцюг, а у віхідну включається НАВАНТАЖЕННЯ. p> Розглянемо принцип Дії транзистора на прікладі транзистора р-n-р - типу, підключеного до схеми Із загальною базою (рис. 3.2).
В
Рис. 3.2 - Принцип Дії біполярного транзистора (р-n-р-типу)
Зовнішня Напруга двох джерел живлення Е Е и Е до підключають до транзистора так, щоб забезпечувався Зсув емітерного переходу П 1 в прямому напрямі (пряма Напруга), а Колекторная переходу П 2 - у зворотнього напрямі (зворотна Напруга).
Если до К...
