олекторная переходу приклада зворотня Напруга, а ланцюг емітера розімкненій, то в ланцюзі колектора протікає Невеликий зворотній струм I ко (одініці мікроампер). Цею струм вінікає под дією зворотної напруги и створюється напрямком переміщенням неосновних носіїв заряду дірок бази и електронів колектора через колекторно Перехід. Зворотній струм протікає по ланцюгу: + Е до , база-колектор,-Е до . Величина зворотнього Струму колектора НЕ поклади від напруги на колекторі, альо поклади від температурами напівпровідніка.
При включенні в ланцюг емітера постійної напруги Е Е в прямому напрямі потенційній бар'єр емітерного переходу зніжується. ПОЧИНАЄТЬСЯ інжектування (упріскування) дірок в базу.
Зовнішня Напруга, прикладами до транзистора, віявляється прікладеною в основному до переходів П 1 і П < span align = "justify"> 2 , оскількі смороду мают великий Опір в порівнянні з опіром базової, емітерної и колекторної областей. Тому інжектіровані в базу діркі переміщуються в ній за помощью діфузії. При цьом діркі рекомбінуються з Електрон бази. Оскількі концентрація носіїв в базі однозначно Менш, ніж У емітері, то рекомбінують Дуже Небагато дірок. При Малій товщіні бази почти ВСІ діркі доходітімуть до Колекторная переходу П 2 . На місце рекомбінованіх електронів в базу поступають Електрон від джерела живлення Е до . Діркі, что рекомбінувалі з Електрон в базі, створюють струм бази I Б .
Під дією зворотньої напруги Е до потенційній бар'єр Колекторная переходу підвіщується, товщина переходу П < span align = "justify"> 2 збільшується. Альо потенційній бар'єр Колекторная переходу не створює Перешкоди для проходження через нього дірок. Діркі, что увійшлі до области Колекторная переходу, потрапляють в сильне пріскорююче поле, створене на переході Колекторная напругою, и екстрагуються (втягуються) колектором, створюючі Колекторная струм I до < span align = "justify">. Колекторная струм протікає по ланцюгу: + Е до , база-колектор,-Е до .
Таким чином, в транзісторі протікає три Струмило: струм емітера, колектора и бази.
У дроті, что є виведення з бази, Струмило емітера и колектора направлені зустрічно. Отже, струм бази Рівний різніці струмів емітера и колектора: I Б = I Е - I До . ФІЗИЧНІ Процеси в транзісторі типом n-р-n протікають аналогічно процесам в транзісторі типом р-n-р.
Повний струм емітера I Е візначається кількістю інжектованіх емітером основних носіїв заряду. Основна частина ціх носіїв заряду досягаючі колектора, створює Колекторная струм I до . Незначна частина інжектованіх в базу носіїв заряду рекомбінують в базі, створюючі струм бази I Б . Отже, струм емітера розділяться на Струмило бази и колектора, тоб I Е = I Б + Ік.
Струм емітера є вхіднім Струмило, струм колектора - віхіднім. Вихідний струм складає Частину вхідного, тоб
(3.1)
де a-коефіцієнт передачі Струму для схеми ЗБ;
В
Оскількі вихідний струм менше вхідного, то коефіцієнт. ВІН показує, яка частина інжектованіх в базу носіїв заряду досягає колектора. Зазвічай величина складає 0,95-0,995. p> У схемі Із загально емітером віхіднім Струмило є струм колектора, а вхіднім - струм бази. Коефіцієнт Посилення по Струму для схеми ЗЕ:
(3.2)
В
тоді
(3.3)
Отже, коефіцієнт Посилення по Струму для схеми ОЕ складає десятки одиниць. Вихідний струм транзистора поклади від вхідного Струму. Тому транзісто р-прилад, з керованого Струмило. Зміни Струму емітера, вікл...
