ності компенсації скрутно ввести поняття полушіріни піку характеристики Y (E F ), тому що Y (E F ) має особливу форму - максимальне значення характеристики Y (E F ) (полюс) перебувати біля значення E F = (E a + E d )/2. Наявність полюса у Y (E F )-характеристики унеможливлює визначення концентрації амфотерних центрів з негативною кореляційної енергією (амфотерних U - -центрів). Якщо концентрація дрібних донорів менше концентрації амфотерних U - -центрів, тоді Y (E F )-характеристика практично не відрізняється від некомпенсованого випадку.
У разі точної компенсації амфотерних U - -центрів дрібними донорами параметри піку Y (E F )-характеристики будуть відповідати параметрам U - -донора, тобто
Y max (E F = E F max ) = N t ; E F max = (E a + E d )/2; δE F ≈ 1.8k B T max .
Коли концентрація компенсуючих дрібних донорних центрів більше концентрації амфотерних дефектів з негативною кореляційної енергією, то ширина смуги на піввисоті Y (E F )-характеристики залежить від рівня компенсації (зростає з зростанням рівня компенсації), а концентрація амфотерних U - -центрів, певна по максимуму функції Y (E F ) відповідає реальній концентрації амфотерних центрів з негативною кореляційної енергією.
Темп зміни концентрації вільних носіїв зі зміщенням рівня Фермі dn/dE F визначається електронними властивостями дефектів. Так як U - -центри віддають носії парами, а не по одному електрону, як це характерно для однорівневих дефектів і для центрів з позитивною кореляційної енергією, то зрозуміло, що в разі U - -центрів швидкість dn/dE F повинна бути приблизно в 2 рази більше, ніж у звичайному випадку. Цим обставиною пояснюється звуження смуги Y (E F )-характеристики для U - -центрів.
Наявність максимуму на характеристиці Y (E F ) пов'язана з тим, що з підвищенням температури темп генерації О±N - (При N - >> n, де О± - коефіцієнт емісії електрона, N - - концентрація центрів генерації) зростає, а далі, за рахунок помітного спустошення центрів генерації - падає.
Слід зазначити, що, якщо із зміною температури рівень Фермі не перетинає електронний рівень дефекту, то в цьому випадку використання методу диференціального аналізу ТЗКН не дозволяє коректно визначати концентрацію дефектів і їх енергетичний спектр у забороненій зоні.
Таким чином, нами отримані наступні результати:
В· Показано, що, як і у випадку з акцепторними центрами, вид Y (E F )-функції для амфотерних центрів істотно залежить від рівня комп...
