истор. Внутрішній опір фоторезистора змінюється при зміні інтенсивності світла. Зміна опору не пропорційно інтенсивності світла. Фотосопротивления виготовляють з світлочутливих матеріалів, таких як сульфід кадмію (CdS) або селенід кадмію (CdSe).
Його опір може змінюватися від декількох сотень мегом до декількох сотень му. Воно застосовується при низьких інтенсивностях світла. Фотосопротівленіе може витримувати високі робочі напруги 200-300 вольт при малому споживанні потужності - до 300 міліватів.
На рис. 2.12 показані схематичні позначення фотосопротівленія. Стрілки показують, що це - світлочутливе пристрій. Іноді для позначення світлочутливого пристрою використовується грецька буква лямбда ().
Фотосопротивления використовуються для вимірювання інтенсивності світла у фотографічному обладнанні, в охоронних датчиках, в пристроях автоматичного відкривання дверей, в різному тестують обладнанні для вимірювання інтенсивності світла.
Фотогальванічний елемент (сонячний елемент) перетворює світлову енергію безпосередньо в електричну. Батареї сонячних елементів застосовуються головним чином для перетворення сонячної енергії в електричну енергію.
Сонячний елемент - це пристрій на основі р-п-пе-рехода, виконане з напівпровідникових матеріалів.
В
Рис. 2.12. Схематичні позначення фотосопротівленія
Сонячні елементи дають низький вихідний напруга 0,45 вольта при струмі 50 міліампер. Їх необхідно з'єднувати в послідовно-паралельні ланцюги для того, щоб отримати бажане вихідна напруга і струм.
Схематичні позначення сонячних елементів показані на рис. 2.13. Позитивний висновок позначається знаком плюс (+).
Сонячні елементи застосовуються для вимірювання інтенсивності світла в. фотографічному обладнанні, для декодування звукової доріжки у кінопроекторах і для зарядки батарей на космічних супутниках.
Фотодиод також використовує pn-перехід і його пристрій подібно пристрою сонячного елемента. Він використовується так само, як і фотосопротівленіе в якості резистора, опір якого змінюється при освітленні. Фотодіоди - це напівпровідникові пристрої, які виготовляються переважно з кремнію.
В
Рис. 2.13. Схематичні позначення сонячного елемента.
Це робиться двома способами. Перший спосіб - створення простого р-п-переходу (рис. 2.14). При іншому способі між шарами р-типу і п-типу вставляється шар нелегованого напівпровідника, утворюючи pin фотодіод (рис. 2.15).
В
В В
Рис. 2.14. Фотодіод з р-п- переходом В В В
Рис. 2.15 p - i - n фотодіод
В В В В
Перевага pin фотодіода - його швидкий відгук на зміни інтенсивності світла, найшвидший з усіх фоточутливих пристроїв. Недолік - низька вихідна потужність в порівнянні з іншими фоточутливі пристроями.
Фототранзистор влаштований подібно іншим транзисторам з двома pn-переходами. Він схожий на стандартний n - p - n транзистор. Використовується так само, як і фотодіод, і має корпус як у фотодіода, за винятком того, що у нього три висновки (емітер, база і колектор). На рис. 2.16. p> показана його еквівалентна ланцюг. Провідність транзистора залежить від провідності фотодіода. Висновок бази застосовується рідко. Коли він усе ж використовується, на нього подається напруга, що відкриває транзистор.
В
Рис. 2.16. Еквівалентна схема фототранзистор
Фототранзистори можуть давати більший вихідний струм, ніж фотодіоди. Їх відгук на зміни інтенсивності світла не так швидкий, як у фотодіодів. У даному випадку за збільшення вихідного струму доводиться жертвувати швидкістю відгуку.
На рис. 2.17 зображено схематичне позначення фототранзистор.
Фототранзистори застосовуються в фототахометрах, для управління фотографічної експозицією, в протипожежних датчиках, в лічильниках предметів і в механічних позиціонері.
В
Рис. 2.17. Схематичне позначення фототранзистор
Світловипромінюючі пристрої
Світловипромінюючі пристрою випромінюють світло при проходженні через них струму, перетворюючи електричну енергію в світлову. Діоди LED (світлодіод) - це найбільш поширене напівпровідникове світловипромінюючих пристрій. Будучи напівпровідниковим пристроєм, він має необмежений термін служби зважаючи відсутності високотемпературного нагріву, основної причини виходу з ладу звичайних ламп.
Будь p-n- перехід може випромінювати світло при проходженні через нього струму. Світ...
