мим параметрам:
(3.1)
(3.2)
(3.3)
За довідником [5] підбираємо транзистори, що задовольняють граничним параметрами:
VT4: КТ819Б (n-p-n)
В В В В В В
VT5: КТ818Б (p-n-p)
В В В В В В
Розрахуємо площу тепловідведення для транзистора VT4.
Загальне тепловий опір:
, (3.4)
де - температура навколишнього середовища;
- температурний запас.
Загальне тепловий опір складається зі складових:
, (3.5)
де - тепловий опір корпус транзистора - тепловідвід;
- тепловий опір тепловідвід - довкілля.
Виберемо
, (3.6)
де - коефіцієнт, що залежить від умов теплообміну радіатора з навколишнім середовищем;
В
- площа тепловідведення.
З формули (3.5) визначаємо:
В
З формули (3.6) визначаємо:
. (3.7)
Так як параметри VT4 і VT5 однакові, то площа тепловідведення транзистора VT5 дорівнює 53.53см2.
Сумарна площа теплоотводов для двох транзисторів:
. (3.8)
4. Розрахунок і вибір елементів підсилювача потужності - предоконечних транзистори, джерела струму і ін
Резистори R3 і R4, включені паралельно емітерним переходам предоконечних транзисторів, запобігають режим обриву бази вихідних транзисторів при замиканні предоконечних транзисторів і вибираються в межах 100-500 Ом [1].
R3, R4: МЛТ-0 ,125-470 Ом В± 5%.
Вхідний струм вихідних транзисторів VT4 і VT5:
(4.1)
Вимоги до предоконечним транзисторам:
(4.2)
(4.3)
(4.4)
Вибираємо транзистори з параметрами [5]:
VT2: КТ815А (n-p-n)
В В В В
