тавлена ​​на рис. 6
+ E k
R7 R10 C 6
C4
VT3
R8 R9 C5 U вих
В
Малюнок 6 Вихідний каскад підсилювача
Використовуємо в цьому підсилювачі транзистор КТ315 А, тому що його характеристики (таблиця 2.1) задовольняють висунутим вимогам.
Таблиця 2.1 Параметри біполярного транзистора КТ 315 А.
I k max , mA
U ке max , B
U k б , B
U ЕБ , B
P max , MBт
h 21 е
U k , B
I k , mA
I k б 0 , мкА
F гр , МГц
З до , пФ
100
20
10
5
150
30 .. 120
10
1
1
250
7
Проведемо динамічну характеристику транзистора КТ 315 А на його вихідний характеристиці
I КР = 5 мА, I бр = 0,1 мА, U Кер = 5 В, U бр = 0,45 В
Е до = 9 В.
В· Розрахуємо опір навантаження колектора: R10
R10 = (Е до - U Кер )/I КР = (9-5)/5.10 -3 = 800 Ом (2.10)
Виберемо найближче стандартне опір: R10 = 820 Ом
В· Розрахуємо рассеиваемую потужність на резистори R10:
Р R 10 = R10 В· I КР 2 = 820 В· (5.10 -3 ) 2 = 0,0205 Вт (2.11)
Округлюємо знайдену потужність до найближчого стандартного значення Р R 10 = 0,125 Вт
Виберемо тип резистора - МЛТ.
В· Розрахуємо опір R9, включене в ланцюг емітера для температурної стабілізації:
R9 = 0,1 Е до /I КР = 0,1 В· 9/5.10 -3 = 180 Ом (2.12)
Приймаються R9 = 180 Ом
В· Розрахуємо рассеиваемую потужність на резистори R9:
Р R 9 = R9 В· I КР 2 = 180 В· (5.10 -3 ) 2 = 0,0045 Вт (2.13)
Округлюємо знайдену потужність до найближчого стандартного значення Р R 9 = 0,125 Вт
В· Визначимо напруга зсуву і струм на базі за графіком
В· Розрахуємо опір подільника:
R7 = (Е до - U бер - U R 9 )/(I д + I б )
де (2.14)
U R 9 = I КР В· R9 = 5.10 -3 В· 180 = 0, 9 В (2.15)
I д = (2 ... 5) I б = 5.0, 1.10 -3 = 0,5 мА ( 2.16)
Тоді з 2.14 R7:
R7 = (9-0,45-0,9)/(0,5 +0,1) В· +10 -3 = 12750 Ом
Приймаються найближче значення R7 = 13000 Ом або 13 кОм
В· Розрахуємо рассеиваемую потужність на резистори R7:
Р R 7 = R7 В· I д 2 = 13.10 3 sup> В· (0,5 В· 10 -3 ) 2 = 0,003 Вт (2.17)
Округлюємо знайдену потужність до найближчого стандартного значення Р R 7 = 0,125 Вт
В· Розрахуємо R8:
R8 = (U бер + U R 9 )/I д = (0,45 + 0,9)/0,5 В· 10 -3 = 2700 Ом (2.18)
Приймаються найближче значення R8 = 2,7 кОм
В· Розрахуємо рассеиваемую потужність на резистори R8:
Р R 8 = R8 В· I д 2 = 2,7 В· 10 3 В· (0,5 В· 10 -3 ) 2 = 0,000675 Вт (2.19)
Округлюємо знайдену потужність до найближчого стандартного значення Р R 8 = 0,125 Вт
В· Вираз для розрахунку ємності контуру виводиться з таких передумов
Х Ср1 ≤ R вх; (2.20)
1/(ПЋ н В· З р ) = R вх /10 (2.21)
С6 = 10/2ПЂf н R н в€љ m 2 H - 1 (2.22) p>
С6 = 10/2 В· 3,14 В· 20.800 В· в€љ...