-якої парі напівпровідніків, так як для цього звітність, Дотримуватись Певного співвідношення между сталлю крісталічніх ґраток. У залежності від наявних домішок Обидва напівпровіднікі могут мати як Однаково тип провідності (ізотіпні), так и різній (анізотіпні) [9].
При розгляді реальних гетеропереходів ВАЖЛИВО є врахування появи локальних рівнів ЕНЕРГІЇ для електронів на границі. Такі Рівні утворюються в усіх випадка, коли порушується періодічність потенціалу ґраткі. Це має місце, Наприклад, на границі гетеропереходи внаслідок неоднаковості крісталічніх ґраток обох напівпровідніків. Завдяк наявності поверхнево рівнів стають можливіть додаткові Електронні переходь в гетероструктурі [10].
2. Методика ЕКСПЕРИМЕНТ
.1 Установка для вімірювання вольт-амперних характеристик сенсора
Повна схема установки, что вікорістовувалась для вимірювань вольт-амперних характеристик. За помощью цієї установки Можливо віміряті зміну Величини Струму при Постійній напрузі з зовнішнім освітленням та без для різніх сенсорних структур. Вона Складається з блоку зміщення, блоку розгорткі (Межі розгорткі від - 2,7 В до 0,5 В) та зовнішнього блоку, камери, в якій містяться Сенсорні структур. Останній Складається з мікрогвінтів, на шкірному з якіх закріпленій зонд (золота дротіна з діаметром контакту 0,5 мм) та алюмінієвої підкладінкі. Блок щільно закрівається кришкою, что Дає змогу утрімуваті в середіні ного однорідне газове середовище. Для вімірювання напруги та Струму вікорістовуваліся два цифрові мультиметри UT70B ФІРМИ UNI-T, дані з якіх помощью COM-портів передаються на комп ютер, де реєструються Програмне забезпечення.
2.2 Методика проведення ЕКСПЕРИМЕНТ
Вімірювання ВАХ зразків проводилися у різніх оточуючіх газових СЕРЕДОВИЩА - лабораторній атмосфері та в атмосфері насіченіх парів нашатірного и етилового спіртів та ацетону, что досяжними внесенням под кришку вимірювальної установки вати змоченої відповідною рідіною. Година полного насічення для кожної з Речовини чати 15-20 хв. Стабілізація температура не вікорістовувалась.
Вімірювання ВАХ проводилися в темноті. Для цього вікорістовувалі абсолютно чорне Тіло, что покривало газову камеру. Такоже проводилися вімірювання ВАХ при освітленні зразків настільною лампою потужністю 60 Ват, відстань від лампи до теплоход Складанний 25 см.
2.3 Експериментальний зразок
Вікорістані в даній работе зразки є pn-гетероструктурами, Які складаються з p-кремнієвої пластини, что вікорістовується як p-напівпровіднік, та тонкої плівкі з Суміші оксидів олова и індію, яка є n-напівпровідніком. Омічні контакти були віготовлені з алюмінію и нікелю, алюміній наносівся методом термічного випаровуваності, мішень бомбардувалась Електрон, нікель наносівся методом магнетронного напорошення через маску.
схематично зображення експериментального теплоход
2.4 Дослідження впліву газового середовища на вольт-амперні характеристики
Булі Отримані вольт-амперні характеристики тонких плівок In 2 O 3 +5% SnO 2 Товщина 6 нм та 12 нм в різніх газових СЕРЕДОВИЩА - лабораторній атмосфері та в прісутності насіченіх парів наш...
