в DO0-DО3, DB0-DB3 для входів CS, DCE Вхідній струм високого уровня при U IH= 5,25 В, мкА: для входів DO0-D03, DB0-DB3 для входів CS, DCE Вихідний струм високого уровня, мА: для віходів DO0-DО3 для віходів DB0-DB3 Вихідні напруги низьких уровня, В: для віходів DO0-D03 при IH=15 мА для віходів DВ0-DB3 при IH=50 мА Вихідні напруги високого уровня, В: для віходів DО0-D03 при IH=- 1 мА для віходів DB0-DB3 при IH=- 10 мА І СС I IL I IH I ОН U OL U OH 130 (- 0,25) (- 0,5) 40 80 20 100 0,5 0,7 (3,65) (2,4)
Табл. 3.5 - Дінамічні параметри мікросхем
ПараметріПозначенняЗначення параметрівК589АП26мін.макс.Час затримки-Поширення сигналу, нс: від входівD10- D13 до віходівDB0-DB3 від входів DB0-DB3 до віходів DO0-DO3 від входів CS, DCE до віходів DB0-DB3, DO0-DO3 Година затримки переходу від входів CS, DCE до віходів DB0-DB3, DO0-DO3t P (DI-DB) t P (DB-DO) t P (CS-D) t D (CS-D) 16 14 36 30 25 25 55 35
3.2.3 D-тріггерК155ТМ8
Мікросхема К155ТМ8 має 16-контактний корпус и містіть набори D-трігерів, что мают Спільні входь синхронного скидання R и тактового запуску C. У мікросхемі К155ТМ8 число трігерів Чотири, у шкірного є виходи Q и Q. Мікросхема К155ТМ8 має структуру и цокольовку показань на малюнках. Режими роботи трігерів в мікросхемі К155ТМ8відповідають табліці. Скидання всех трігерів в стан Qn=H стане, коли на вхід асинхронного скидання R буде подана напряжение низьких уровня Н. Заходь С і Dn коли R=Н, що не діють, їх стан байдуже (x). Умовний графічне зображення мікросхеми К155ТМ8 показано на рис. 3.5.
Рис.3.5 Умовний графічне Позначення мікросхеми К155ТМ8
Інформацію від паралельних входів даних D1 - D4 можна Завантажити в Трігер мікросхем, если на вхід R податі напругу високого уровня. Тоді на тактовій вхід З слід податі позитивний перепад імпульсу и Попередньо Встановлені на шкірному вході D напруги високого чи низьких (В або Н) уровня з'являться на віході Q (тобто В або Н відповідно).
Мікросхема К155ТМ8, має струм споживання 45 мА, максимальна тактова частота становляит 25 МГц, а годину затримки Поширення сигналу скидання 35 нс. Основне призначення мікросхеми К155ТМ8- побудова регістрів даних, что запускаються перепадами тактового імпульсу. Корпус К155ТМ8 типом 238.16-1, маса около 1,2 грама. Структурна схема мікросхеми К155ТМ8 наведена на рис. 3.6.
Рис. 3.6 Структурна схема мікросхеми К155ТМ8
Стан трігерів мікросхеми К155ТМ8 наведено в табліці 3.6.
Таблиця 3.6 - Стан трігерів мікросхеми К155ТМ8
Стан трігерів мікросхем К155ТМ8Режім робітВхідВіхідRCD n QQЗбросНххНВЗагрузка 1В? ВВНЗагрузка 0В? ННВ
Електричні параметри мікросхеми наведені нижчих:
номінальна напряжение живлення 5 В ± 5%
віхідна напряжение низьких уровня? 0,4 В
віхідна напряжение високого уровня? 2,4 В
напряжение на антізвонному діоді?- 1,5 В
завадостійкість при низьких та висока рівнях? 0,4 В
вхідній струм низька уровня?- 1,6 мА
вхідній струм високого уровня? 0,04 мА
вхідній пробивний струм? 1 МА
струм короткого замикання - 18. - 57 мА
струм споживання? 45 мА
споживай статична Потужність на 1 логічний елемент? 236,25 мВт
3.2.4 статичність ОЗУ КР537РУ2А
статистичності оперативніше ЗУ на Основі КМОП-структурК537РУ2А:
Інформаційна ємність ................................. .1024 біт
Організація ............................................. ..024 бітX1 розряд
Напруга живлення..................................... 5 В ± 10%
споживай Потужність:
в режімі Звернення при f=1МгГц ............... 14,0 мВт (при Т=+ 25 ° С)
в режімі зберігання ............................................ ..Не более 0,5 мВт
ДІАПАЗОН температур .......................................... - 60 ... + 85 ° С
Вихід ...................................................................... Три стану
сумісність:
по входу...
