Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Курсовые проекты » Методи збільшення коефіцієнта посилення по струму біполярного транзистора

Реферат Методи збільшення коефіцієнта посилення по струму біполярного транзистора





йному коллекторном напрузі


Зменшення коефіцієнта посилення по струму із зростанням струму можна проаналізувати, використовуючи модель контрольованого заряду Гуммеля - Пуна. Коефіцієнт посилення по струму в схемі з загальним емітером


h пр.еф =? п?/(1? п?), (29)


де ефективність емітера в схемі із заземленою базою


? =? е/(1+? е). (30)


При аналізі за допомогою методу контрольованого заряду було показано, що


? е= n Q е0 / ( p Q б0 ), (31)


де Q б0 і Q < i align="justify"> е0 - рівноважні основні електричні заряди іонізованих домішок в базі і емітер на одиницю площі; n і p - середні коефіцієнти дифузії електронів і дірок.

У результаті інжекції емітером неосновних носіїв заряд основних носіїв у базі збільшується через збереження нейтральності бази. База також інжектується в емітер неосновні носії, але, оскільки зазвичай емітер сильно легирован, збільшенням заряду основних носіїв в ньому можна знехтувати.

Коли колекторний струм перевищує критичне значення і напруга на колекторі мало, ширина бази збільшується за рахунок появи квазинейтральной області поблизу колектора шириною


W до-б =(1 - J 0 /J до ) W n . (32)


Звідси коефіцієнт посилення по струму дорівнює


h пр.е = k е /[( W б + W до-б ) 2 J до ]. (33)


При J до gt; gt; J 0 база розширюється максимально:


W б =W б + W n ; (34)

h пр.е = k е / (W 2 б < i align="justify"> J до ), (35)


звідси випливає, що в умовах розширення бази коефіцієнт посилення по струму обернено пропорційний щільності колекторного струму J до . При виведенні вираження (35) для h пр.е передбачалося, що час життя і коефіцієнти дифузії в металургійній базі і пріколлекторной області < i align="justify"> W до-б однакові. При більш точному аналізі слід враховувати їх відмінність.

В умовах відтискування струм тече тільки по периферії емітера, в центральній частині емітера струму практично немає. Якщо позначити «ефективну» напівширину емітера через y 0, а периметр емітера - через P е , середню щільність емітерного струму можна виразити як


J до =I до /S е =I до /(P е y 0 ). (36)


Ефективна полушіріна емітера


y 0=const W б пр.е. (37)


Підставляючи вираз (36) в (35), одержимо


h пр.е =const ( W б I до ) - 2, (38)


звідки випливає, що коефіцієнт посилення по струму в умовах відтискування падає з ростом струму з нахилом, рівним - 2.


2.3 ЗАЛЕЖНІСТЬ коефіцієнт посилення по струму ВІД ТЕМПЕРАТУРИ


У схемі з загальним емітером ефективн...


Назад | сторінка 6 з 10 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Аналіз складних електричних ланцюгів постійного струму та однофазного змінн ...
  • Реферат на тему: Аналіз лінійної ланцюга постійного струму, трифазних ланцюгів змінного стру ...
  • Реферат на тему: Обгрунтування заміни печей змінного струму на піч постійного струму і міксе ...
  • Реферат на тему: Проект реконструкції плавильного ділянки обжигового цеху нікелевого заводу ...
  • Реферат на тему: Розрахунок міттєвіх значень Струму тріфазної системи АІН-АД в сіловій схемі ...