ій: точність на кожному наступному переході обробки поверхні зазвичай підвищується - на чорнових переходах на 3-4 квалітету, на чистових - на 2-3 квалітету:
перехід: чорнове точіння 12 квалітет допуск d 1=0,300 мм
перехід: напівчистове точіння 10 квалітет допуск d 2=0,120 мм
перехід: чистове точіння 8 квалітет допуск d 3=0,046 мм
перехід: алмазне точіння 6 квалітет допуск d 3=0,019 мм
Необхідна величина уточнення:
Розрахункове уточнення на 1 переході
Розрахункове уточнення 2 переходу:
Розрахункове уточнення 3 переходу:
Розрахункове уточнення 4 переходу:
Загальна розрахункова величина уточнення:
т.к. 6 8 gt; 57,9 , К ур gt; К У , то призначений маршрут обробки поверхні? 75r6 кришки диференціала забезпечить задану точність. Для обробки внутрішньої поверхні? 146H7 мм з шорсткістю Rz=20мкм, діаметр поверхні виливки становить? 143,2 (± 0,6) мм. Цю поверхню можливо обробити за чотири переходу:
перехід: чорнове точіння 12 квалітет допуск d1=0,400 мм
перехід: напівчистове точеніе10 квалітет допуск d2=0,160 мм
перехід: чистове точіння 8 квалітет допуск d3=0,063 мм
перехід: алмазне точіння 7 квалітет допуск d3=0,040 мм
Необхідна величина уточнення:
Розрахункове уточнення на 1 переході
Розрахункове уточнення 2 переходу:
Розрахункове уточнення 3 переходу:
Розрахункове уточнення 4 переходу:
Загальна розрахункова величина уточнення:
Отримаємо 43 gt; 30 К ур gt; К У , значить призначений маршрут обробки поверхні? 146H7 кришки диференціала забезпечить задану точність.
1.8 Вибір технологічних баз
Вибір баз для механічної обробки виробляємо з урахуванням досягнення необхідної точності взаємного розташування поверхонь деталі по лінійних і кутових розмірами, забезпечення доступу інструментів до оброблюваних поверхонь, забезпечення простоти та уніфікації верстатних пристосувань, а так само зручності установки в них заготовки. На операції алмазного растачивания поверхонь? 75r6 і? 146H7 в якості технологічної бази приймаємо торець заготовки і зовнішню циліндричну поверхню? 188мм. Така схема базування забезпечить доступ ріжучого інструменту з двох сторін кришки, що дозволить одночасно обробити внутрішні і зовнішні поверхні деталі без перевстановлення. На цій операції ми зможемо остаточно обробити поверхні? 75r6 і? 146H7, забезпечивши при цьому високу точність їх взаємного розташування. Обрана схема базування забезпечує принцип єдності баз. Для реалізації такої схеми базування застосовуємо спеціальне пристосування.
Малюнок 1.5 Схема базування, використовувана на алмазно-розточний операції.
Так як ми на алмазно-розточний операції остаточно обробляються поверхні? 75r6 і? 146H7, то на попередній операції ми повинні здійснити чистову обробку цих поверхонь. Одночасна обробка гострінням внутрішнього і зовнішнього діаметрів потребують спеціального обладнання, що спричинить великі витрати. Тому на операції, що передує алмазно-розточний, опрацюємо тільки зовнішню поверхню кришки. Для такої обробки за технологічну базу приймаємо внутрішню поверхню? 60H9мм і лівий торець кришки. Дана схема базування дотримується принцип єдності баз майже для всіх розмірів, крім деяких розмірів, проставлених на кресленні деталі не від обраної технологічної бази. Застосування саме такої схеми базування дозволить обробити всю зовнішню поверхню заготовки і забезпечити високу точність взаємного розташування поверхонь, оброблюваних на цій операції. Дану схему можна реалізувати за допомогою разжимной оправки.
Малюнок 1.6 Схема базування, використовувана при обробці зовнішніх поверхонь кришки.
На попередньої операції в якості технологічних баз ми використовували поверхню? 60H9 і лівий торець кришки? 188мм. Тому на цій операції ми повинні опрацювати ці поверхні, а також підготувати до алмазного розточування поверхню? 146H7. В якості технологічних баз використовуємо зовнішню поверхню? 75r6мм і правий торець. Дану схему базування можна реалізувати за допомогою трёхкулачкового патрона. Такий вибір технологічної бази дозволить обробити всю внутрішню поверхню заготовки і забезпечити високу точність взаємного розташування оброблюваних поверхонь. При такій схемі базування для оброблюваних розмірів не дотрим...
