ікані зміною напруги емітерного переходу, Повністю передаються в Колекторная ланцюг, віклікаючі зміну Струму колектора. А оскількі Напруга джерела Колекторная живлення Ек однозначно больше, чем емітерного Е е , то и Потужність, споживай в ланцюзі колектора Р до , буде значний про больше потужності в ланцюзі емітера Р е . Таким чином, забезпечується можлівість Керування великою потужністю в Колекторная ланцюзі транзистора малою потужністю, что вітрачається в емітерному ланцюзі, тоб має місце Посилення потужності.
3.2 Схема включення біполярніх транзісторів
У електричний ланцюг транзистор включаються таким чином, что один з йо виводів (електрод) є вхіднім, другий - віхіднім, а Третій - загально для вхідного и віхідного ланцюгів. Перелогових від те, Який електрод є загально, розрізняють три схеми включення транзісторів: ЗБ, ЗЕ и ЗК. Ці схеми для транзистора типу р-n-р пріведені на рис. 3.3. Для транзистора n-р-n в схемах включень змінюються позбав полярності напруги и Напрям струмів. При будь-якій схемі включення транзистора (у активному режімі) полярність включенням джерел живлення винна буті вибрать так, щоб емітерній Перехід БУВ включень у прямому напрямі, а Колекторная - у зворотню. br/>
.3 Статічні характеристики біполярніх транзісторів
статичність режимом роботи транзистора назівається режим, у якому відсутнє НАВАНТАЖЕННЯ у віхідному ланцюзі.
статичність характеристиками транзісторів назівають графічно віражені залежності напруги и Струму вхідного ланцюга (вхідні ВАХ) i віхідного ланцюга (вихідні ВАХ). Вид характеристик покладів від способу включення транзистора. br/>В
Рис.3.3 Схеми включення біполярніх транзісторів: а) ЗБ, б) ЗЕ; в) ЗК
3.4 Характеристики транзистора, включеного по схемі ЗБ
Вхідною характеристикою є залежність:
Е = f (U ЕБ ) при U КБ = const (рис. 3.4, а).
Віхідною характеристикою є залежність:
До = f (U КБ ) при I Е = const (рис. 3.4, б).
В
Рис. 3.4 Статічні характеристики біполярного транзистора, Який включень за схем ЗБ
вихідні ВАХ мают три характерні области: 1 - сильна залежність I до від U КБ (нелінійна початкова область), 2 - Слабко залежність I до від U КБ (лінійна область), 3 - Пробій Колекторная переходу.
Особлівістю характеристик у области 2 є їх Невеликий Підйом при збільшенні напруги U КБ .
3.5 Характеристики транзистора, включеного по схемі ЗЕ
Вхідною характеристикою є залежність:
I Б = f (U БЕ ) при U КЕ = const (рис. 3.5, б).
Віхідною характеристикою є залежність:
I До = f (U КЕ ) при I Б = const (рис.3.5, а).
Транзистор в схемі ЗЕ Дає Посилення по Струму. Коефіцієнт Посилення по Струму в схемі ЗЕ:
В
Если коефіцієнт a = 0,9 Вё 0,99, то коефіцієнт b = 9 Вё 99. Це є найважлівішою ПЕРЕВАГА включення транзистора по схемі ЗЕ, чім, зокрема, візначається ШИРОКЕ практичне! Застосування цієї схеми включення у порівнянні Зі схем ЗБ. br/>В
Рис 3.5 Статічні характеристики біполярного транзистора, включеного по схемі ЗЕ
З принципом Дії транзистора відомо, что через виводи бази протікають в зустрічному напрямі Дві складові Струму (рис. 3.6): зворотній струм Колекторная переходу IКО и частина Струму емітера. У зв'язку з ЦІМ Нульовий Значення Струму бази (IБ = 0) візначається рівністю Вказаною струмів, что становляит, тоб. Н...
