5 < span align = "justify"> = 0,74 нс
Приймаються U БЛЕ = 4,5 В, тоді
I БЛЕ = P/U = 0,16/3,8 = 0,042 мА
Знаючи, задану максимальну ефективну інтеграцію та енергетичні параметри одного ЛЕ, визначимо параметри всієї БІС:
P БІС = 0,16 * 49920 = 7987мВт = 0,8 Вт
I БІС = 0,042 * 49920 = 2096мА = 0,21 А
Аналізуючи параметри розсіювання потужності для КМОП, ТТЛ і ЕСЛ видно,
Р ТТЛ = 1 * l 7/6 Р ЕСЛ = 3 * l 7/6 P КМОП = 0,14 * l 7/ 6
t ТТЛ = 0,7 * l 1.75 t ЕСЛ = 0.3 * l 1.75 t КМОП = 0,6 * l 1.75
що Р ТТЛ і Р ЕСЛ в 5-20 разів вище, ніж P КМОП , при цьому виникає не розв'язувана проблема відведення тепла. Отже, в якості схемотехніки БІС вибираємо КМОП технологію.
4. Опис принципів забезпечення завадостійкості БІС
Цей розділ містить основні правила проектування пристрою, пов'язані з придушенням ненавмисних перешкод, що виникають в лініях зв'язку і ланцюгах харчування і землі. У розділі слід описати причини появи перешкод і сформулювати вимоги до конструкцій, що забезпечують зниження рівня перешкод до допустимих норм. p align="justify"> До числа основних вимог, які відображені в розділі, відноситься: вибір достатнього числа контактів харчування і землі в конструкціях кристала БІС, вибір відповідних принципів побудови структури багаторівневих комутаційних елементів, правил розміщення і екранировки межсоедине...
