на кожному компонувальному рівні, наведені в навчальному посібнику В«Основи компонування і розрахунку параметрів конструкційВ» Результати розрахунків у таблиці 2.
Табличні представлення результатів компонування і розрахунку значень компонувальних параметрів логічної схеми пристрою по заданих вихідними даними, отримані з використанням формул.
Табл. 2
Рівень компонування iІнтеграціяОсновние компонувальні параметриN i M i m i h i H i K i r i r i l l i n i p i < span align = "justify"> q i i = = = =
3. Розрахунок енергетичних параметрів БІС
У розрахунку врахована залежність рівня технології кристала БІС і числа елементів у загальному обсязі пристрою. До основних енергетичних характеристик, які підлягають розрахунку, відносяться: напруга живлення, струмова навантаження і споживана потужність. У розрахунку враховано, що такі параметри як напруга живлення і споживана потужність (у розрахунку на 1 ЛЕ) з ростом ступеня інтеграції елементів на кристалі (а значить з підвищенням технологічного рівня) можуть зменшуватися і при певному рівні технології будуть характеризуватися новими значеннями, відмінними від значень при одному ЛЕ, прийнятим за основу. При цьому отримані нові значення напруги харчування повинні вписуватися в стандартизований ряд значень (напр., 5В; 4,5 В; 3,5 В; 3В і т.д.). p align="justify"> Розрахуємо потужність, споживану одним ЛЕ, затримку і напруга:
P ле = 0,14 * l 7/6 = 0,14 * 1,13 7/6 = 0,16 мВт
U ле = 3,6 * Г–l В» 3.8 (В)
I ле = 0,6 * l 1.75 = 0,6 * 1,13 .7...
