ону обробки, глибину залягання домішки, а також усунути порушення кристалічної решітки в обсязі пластини. При обробці поверхонь з великою площею можлива значна втрата енергії лазерного променя внаслідок відбиває здатності поверхні. Тому прагнуть переміщатися не промінь, а пластину. З цієї причини метод лазерного відпалу теж не досконалий.
Електронно-променевої отжиг не залежить від оптичних характеристик поверхні. Крім того електронний отжиг дозволяє отримувати пластини з кращого електронної стабільністю. Після електронно-променевого відпалу пластини практично не містять дефектів. Однак необхідно підтримувати у вакуумній камері тиск порядку 0.00001-0.000001мм.рт.ст. Цей тип відпалу є найдосконалішим з всіх. [2]
3. Схема пристрої для іонної імплантації
Іонний джерело являє собою вакуумну камеру, в якій підтримується тиск 1,33 10-3 Па. У камері здійснюється іонізація парів легуючої домішки. У Як іонізіруемих використовуються речовини, що містять необхідну домішка. Вихідні з джерела іони неоднорідні за складом. Для відділення сторонніх іонів використовується магнітний мас-сепаратор, який відхиляє від основної осі іони, які мають іншу масу і заряд. Таким чином, іони з різними масами рухатимуться по різних траєкторіях. Якщо в первісному пучку крім іонів основної легуючої домішки були присутні іони сторонніх домішок, то внаслідок сепарування по масам, що відбувається в мас-сепаратор, іони основний домішки збиратимуться в окремий пучок, в якому присутність інших домішок виключено. Виділений за масою пучок іонів проходить через діафрагму і прямує в приймальну камеру, де розташовуються підкладки. Сепарування іонів по масах забезпечує одне з основних достоїнств легування напівпровідників іонним впровадженням, а саме виключно високу чистоту впроваджуваної домішки. (малюнок 6) [1]
4. Можливості математичного моделювання процесу іонної імплантації
У перебігу останніх років, що минули з моменту повідомлення (кінець 70-х років) про першу високоефективної інженерної програмі одновимірного моделювання технологічних процесів виготовлення БІС SUPREM II, даний рівень моделювання БІС стрімко розвивався. Сьогодні вже можна говорити про декількох поколіннях програм технологічного моделювання. До першого поколінню відносяться згадувана програма SUPREM II, а також велика кількість зарубіжних і вітчизняних програм, так чи інакше використовують і розвиваючих основні ідеї і моделі, закладені в програмі SUPREM II. Основне увагу в цих програмах приділялася моделюванню процесів іонного легування, дифузії, окислення і епітаксії, відповідальних за розподіл домішок у напівпровідникових структурах, як правило, в одновимірному наближенні.
Стрімке прогрес у кремнієвої технології в останні 5 - 10 років ініціював подальше розвиток технологічного моделювання. Багато з недавно з'явилися програм мають ознаками другого покоління. <...
