/p>
Найближчим часом можна чекати появи перших програм з деякими ознаками третього покоління, які будуть відображати подальші тенденції в розвитку технології БІС. br/>
4.1 Методи моделювання
Найбільш поширеним методом моделювання процесу іонного легування є аналітичне наближення реальним, експериментально визначеним формам розподілу впроваджених в напівпровідник домішок. Суть його полягає в тому, що, задавшись апріорі формою кривої розподілу, можна експериментально визначити або розрахувати коефіцієнти цього розподілу. Перевага даного методу є простота і наочність отриманого розподілу, обчислюваного з аналітичної формулою. p> Найбільш старим і випробуваним описом профілю впровадженої домішки, згідно з класичною теорії ЛШШ (Лінхард - Шарфа - Шіотта), є симетрична гауссіана. Однак вже ранні експериментальні дослідження показали, що даний опис істотно не адекватно експериментально знятим профілям для більшості іонів як в кремнії, так і в інших напівпровідниках. Було знайдено, що профілі більшості впроваджених іонів ассиметрични в аморфних і кристалічних мішенях.
Використання результатів класичної теорії ЛШШ та аналітичних апроксимативних моделей розподілу впроваджених домішок раніше виявилося в більшості випадків досить задовільним, так як при тривалому циклі загонками похибки початкового розподілу після іонного легування були незначними. У сучасних технологічних процесах виготовлення знайшли застосування надзвичайно короткі цикли термічного відпалу, а також іонну легування через один або кілька шарів безпосередньо в підкладку.
Найпростішим аналітичним апроксимативних методом практично неможливо побудувати точний дискретний профіль розподілу домішок при іонному легуванні в багатошарову структуру типу Si3N4 - SiO2 - Si або Si - SiO2 - Si. Оскільки дана операція часто використовується в сучасних технологічних процесах виготовлення БІС, це змушує для поліпшення адекватності застосовувати або метод Монте - Карло, або метод інтегрування КУБ для побудови необхідного розподілу. Метод інтегрування КУБ є більш швидким: якщо розрахунок одного одновимірного профілю даним методом вимагає t умовних одиниць машинного часу, то по методом Монте - Карло (40 - 60) t. p> Високої ефективністю при моделюванні іонного легування в багатошарових структурах володіє метод підбору доз, за ​​допомогою якого можна отримувати прийнятну адекватність профілю розподілу домішки, характерну для методу інтегрування КУБ, але з мінімальними обчислювальними витратами, наприклад 10-1 t умовних одиниць машинного часу.
У даному методі, заснованому на статичному розподілі та чисельному інтегруванні доз в кожному шарі, потрібні наступні кроки для моделювання іонного легування з загальної дозою D і енергією E. p> Крок 1. Розподіл впровадженої домішки в шарі 1 (0 - Z1) на малюнку 7, визначається для дози D і енергії Е як p1f1 (Z), де p1 - пік концентрації; f1 (Z) - функція статичного розподілу від глибини Z. Кількість вп...
