пературах в окислювальному середовищі розганяється до товщини, що перевищує товщину епітаксійного шару. p align="justify"> Формування резистора R1 і R2 іонним легування фосфору.
Іонне легування - спосіб введення атомів домішки в поверхневий шар пластини шляхом бомбардування її поверхні іонів з високою енергією (10-2000 кеВ).
Кистьова мийка.
Формування оксиду.
Операція фотолітографії для розтину вікон, щоб ввести домішка бору для формування сильно легованого емітерного кишені.
100%-й контроль травлення.
Формування алюмінієвих контактів.
Контроль чистоти алюмінію.
%-й контроль чистоти.
Формування захисного шару діелектрика.
Кистьова мийка у воді і сушка.
Освіження пластини в буферному розчині на протязі 10 с.
Контроль результатів легування на тестових структурах.
100%-й контроль чистоти.
подпаіваніе навісних стабілітронів.
Контроль функціонування.
Висновок
У виконаній роботі спроектована мікросхема В«параметричний стабілізаторВ», проведені розрахунки елементів схеми, розроблені технічні вимоги та технологічний маршрут виготовлення мікросхеми. Також сформована топологія і обрані навісні елементи. p align="justify"> Розроблено біполярний pnp транзистор і польовий транзистор розмірами 2,7 мкм.
Дана мікросхема використовується для стабілізації напруги в слабкострумових схемах. Часто, така схема стабілізатора застосовується як джерело опорної напруги в складніших схемах стабілізаторів. br/>
параметричний стабілізатор мікросхема транзистор
Список літератури
1. # "Justify">. # "Justify">. # "Justify">. Коледов Л.А., Технологія та конструкції мікросхем, мікропроцесорів і микросборок, В«ЛаньВ»: М. - 400 с. p align="justify">. Р.М. Терещук, К.М. Терещук, С.А.. Сєдов, Довідник радіоаматора, - Державне видавництво технічної літератури УРСР, 1957. - С.356. br/>
