="justify"> В В
Знайдемо коефіцієнт посилення проміжного підсилювача:
В В
5. Конструктивний розрахунок радіатора блоку кінцевого посилення
Визначальним параметром при виборі радіатора є температура колекторного переходу транзисторів БОУ. Для кожного транзистора існує певна температура колекторного переходу, перевищення якої приводить до виходу його з ладу. Це так звана максимально допустима температура колекторного переходу, що приводиться в довідниках. p align="justify"> Висока надійність БОУ може бути реалізована тільки при виконанні умови:
,
де - максимальне розрахункове значення температури колекторного переходу I i-го транзистора. Недостатня увага до питань теплового режиму транзисторів БОУ може звести нанівець всю роботу з схемотехнічному розрахунком БОУ. p align="justify"> Розрахунок теплових параметрів і теплових режимів транзисторів середньої та великої потужності при стаціонарних режимах з достатньою для інженерних розрахунків ступенем точності проводиться по теплових схемами заміщення. Теплова схема заміщення являє собою еквівалентну схему розсіювання тепла в системі колекторний перехід транзистора - радіатор-навколишнє середовище. У цій схемі різниці температур виконують роль різниць потенціалів, тепловий потік виконує роль електричного струму (сила струму визначається величиною потужності, що розсіюється транзистором БОУ), а теплові опори - роль зосереджених електричних опорів. p align="justify"> Тепловий опір показує, на скільки градусів зміниться температура ділянки системи при зміні потужності, що розсіюється транзистором, на 1 Вт Розмірністю теплового опору є про С/Вт.
Повна еквівалентна схема розсіювання тепла транзисторами середньої та великої потужності з радіаторами при стаціонарних режимах зображена на рис.6.1. br/>В
Рис.6.1
За аналогією з електричними ланцюгами до схеми (рис.6.1) застосовні закон Ома і всі теореми для послідовного і паралельного з'єднань опорів.
Для транзисторів середньої та великої потужності, що працюють з радіаторами, зазвичай має місце нерівність:
,
так як поверхня корпусу транзистора невелика і тепловий потік, який розсіюється цією поверхнею, малий.
Тому еквівалентна розрахункова схема набуває вигляду, показаний на рис 6.2.
В
Рис.6.2
Користуючись схемою рис.6.2, можна написати залежність температури колекторного переходу транзистора від потужності, що виділяється в транзисторі, конструкції радіатора і способу монтажу транзистора на радіаторе.кр - температура кристала (145 В° С), tк - температура корпусу, tр - температура радіатора, tс - температура середовища (45 В° С). tкр, tк, tр, tс е...
