Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Курсовые обзорные » Розрахунок параметрів напівпровідникових приладів

Реферат Розрахунок параметрів напівпровідникових приладів





ходів визначаються відповідно формулами:


(2.3а)

(2.3б)

де? ке і? кк - контактні різниці потенціалів колекторного і емітерного pn переходів, що визначаються виразами:


(2.4а)

(2.4б)


Проведемо обчислення, враховуючи що діелектрична проникність для кремнію? = 11,7, власна концентрація вільних носіїв при Т = 300 К ni = 1,45 В· 1010 см-3. <В В В В В В В 

Коефіцієнт інжекції з емітера в базу визначається виразом:


(2.6)

де Dpе і Dnб - коефіцієнти дифузії дірок в емітер і електронів в базі відповідно, які визначаються за допомогою співвідношень Ейнштейна:


(7)


де? n і? p - дрейфові рухливості електронів і дірок, що визначаються за допомогою емпіричних формул:


(2.8а)

(2.8б)


де Tn = T/300, Т - температура за шкалою Кельвіна, а N - сумарна концентрація домішок в тій області, в якій розраховується дрейфова рухливість електронів чи дірок. Таким чином дрейфова рухливість електронів в базі? Nб визначається виразом (8а) за умови N = nдб + NАБ? NАБ (концентрація донорної домішки в базі багато менше концентрації акцепторної домішки і тому їй можна знехтувати), а дрейфова рухливість дірок в емітер? ВЕ визначається виразом (8б) за умови N = Nде + Nае? Nде. Обчислимо ці величини:

В В 

Величина Lpе в (2.6) - дифузійна довжина дірок в емітер, обумовлена ​​виразом:


(2.9)


Підставимо (2.7) і (2.9) в (2.6). Отримаємо:


(2.10)


Проведемо обчислення:

В В 

Коефіцієнт перенесення неосновних носіїв через базу від емітера до колектора розраховується за формулою:


(2.11)


де дифузійна довжина електронів в базі Lnб розраховується за аналогічною (2.9) формулою:


(2.12)


Підставимо (2.12) в (2.11):


(2.13)

Проведемо розрахунок:

В 

Коефіцієнт передачі струму емітера знаходиться як добуток коефіцієнта інжекції? і коефіцієнта переносу транзистора:


(2.14)


Розрахуємо:

В 

Граничну частоту посилення транзистора можна обчислити за формулою:


(2.15)


де коефіцієнт дифузії електронів в базі Dnб визначається з (7), а Wб = 2,5 мкм - металургійна ширина бази.

Проведемо обчислення:

В 

Коефіцієнт передачі струму бази повністю визначається коефіцієнтом передачі струму емітера:


(2.16)


Обчислимо його:

В 

Напруга пробою колекторного переходу розраховується за емпіричною формулою:


(2.17)


Розрахуємо Uпр:

В 

Напруга змикання - це така напруга на колекторному переході, при якому ширина квазинейтральной області бази W стає рівною нулю. Скористаємося формулою (1). Враховуючи, що W = 0, отримаємо:


(2.18)


де ширина базової частини ОПЗ емітерного pn переходу? ВЕ і ширина базової частини ОПЗ ...


Назад | сторінка 6 з 8 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Визначення параметрів напівпровідникових приладів за їх статичним вольтампе ...
  • Реферат на тему: Розрахунок напівпровідникових приладів за допомогою пакету програм MicroTec
  • Реферат на тему: Застосування напівпровідникових приладів
  • Реферат на тему: Виробництво напівпровідникових приладів
  • Реферат на тему: Обчислення за формулами. Розгалуження. Цикли