ку мікроелектроніка впритул підійшла як до технологічної межі збільшення розмірів кристалів НВІС і УБІС, так і до подальшого підвищення В«щільностіВ» розміщення компонентів на кристалі. Серед безлічі конструкторсько-технологічних проблем, які доводиться вирішувати при проектуванні і виробництві мікроелектронних виробів, можна виділити п'ять основних [7]. p align="justify"> На першому місці стоїть проблема зменшення розмірів елементів інтегральних схем. Вже зараз обладнання для виробництва процесорів Intel Pentium 4, що використовує у процесі літографії випромінювання з довжиною хвилі 248 нм, дозволяє отримати на кристалі елементи розміром 130 нм. За прогнозами компанії Intel вже найближчим часом вдасться зменшити розміри окремого транзистора приблизно до 30 нм, що становить всього кілька десятків атомних шарів. Корпорація Nikon повідомила про форсування програми розробки обладнання для проекційної літографії (Electron Projection Lithography - EPL) з використанням норм 0,07-мікронного технологічного процесу. Сьогодні EPL можна розглядати як найбільш ймовірну технологію літографії наступного покоління [7]. p align="justify"> Подальші перспективи підвищення роздільної здатності літографії фахівці пов'язують з використанням при експозиції м'якого рентгенівського випромінювання з довжиною хвилі ~ 1 нм, а також різних методів електронної літографії. В одному з варіантів методу електронної літографії взагалі не використовується технологія резисторних масок, а передбачено безпосередню дію електронного пучка на шар оксиду кремнію. Виявляється, що експоновані області надалі труяться в кілька разів швидше, ніж неекспонованих. p align="justify"> Мабуть, природний межа подальшому зростанню мікромініатюрізациі НВІС і УБІС буде покладено явищами разупорядочіванія структури матеріалів за межами вікон у фоторезист. На більш фундаментальному рівні він може бути обумовлений обмеженням чистоти застосовуваних напівпровідників і статистичними характером розподілу в них дефектів і домішок. Судячи з спостерігається тенденції, ця межа, може бути, досягнутий із приблизно до 2015
На другому місці в ряду актуальних завдань мікроелектроніки стоїть проблема внутрішніх з'єднань. Величезне число елементів мікросхеми, розміщених на підкладці, має бути комутував між собою таким чином, щоб забезпечити надійне і правильне виконання певних операцій над сигналами. Це питання вирішується за допомогою багаторівневої розводки, коли на першому (нижчому) рівні формують логічні вентилі, на другому - окремі цифрові вузли типу тригерів, на третьому - окремі блоки (наприклад, регістри) і далі по наростаючій ступеня функціональної складності. p align="justify"> На третьому місці розташована проблема тепловідведення. Підвищення ступеня інтеграції зазвичай пов'язане із зменшенням, як розмірів самих елементів, так і відстаней між ними, що веде до збільшення питомої потужності розсіювання. У природному режимі (без додаткового тепловідведенн...
