я) допустима потужність розсіювання сучасних мікросхем не перевищує 0,05 Вт/мм 2, що обмежує щільність розміщення елементів на підкладці. Для подолання цього обмеження можна використовувати кілька способів: зниження напруги живлення, використання мікрорежимі роботи транзисторів, перехід до більш економічною елементній базі (наприклад, комплементарна структура метал-діелектрик-напівпровідник - КМДП) і, нарешті, штучне охолодження. Однак у кожного з цих способів існують свої специфічні труднощі. Так, наприклад, зниження напруги живлення неминуче веде до зниження завадостійкості. p align="justify"> Четвертої в списку слід вказати проблему дефектів підкладки. Підвищити ступінь інтеграції можна простим збільшенням площі кристала, проте при цьому пропорційно зростає ймовірність попадання в робочу область дефектів кристалічної структури (насамперед дислокацій), наявність яких на поверхні підкладки неминуче, хоча б у силу термодинамічних причин. Дефект підкладки може призвести до порушень технологічного процесу виготовлення мікросхеми і відповідно до шлюбу. Єдиним способом вирішення цієї проблеми є вдосконалення технології виготовлення підкладок. p align="justify"> Останньою в списку, але, мабуть, першою за значущістю слід назвати проблему контролю параметрів. Загальновідомо, що електроніка проникла буквально в усі області людської діяльності. Автоматичні системи сьогодні керують найскладнішими (і часом потенційно небезпечними) технологічними процесами, величезними транспортними потоками і т.д. Збій в такій системі може привести до катастрофічних наслідків. У цих умовах проблеми надійності та якості обладнання, а отже, і контролю параметрів виробленої електронної промисловістю продукції набувають першорядне значення. У силу великої складності виконуваних функцій число зовнішніх інформаційних висновків сучасних НВІС варіюється від кількох десятків до двох-трьох сотень. Якщо прийняти для оцінки число інформаційних висновків рівним 50 і врахувати, що цифровий сигнал на кожному з них може приймати два значення (В«0В» або В«1В»), то для повної перевірки правильності функціонування тільки однієї НВІС і тільки в статичному режимі потрібно 250 вимірювань . При тривалості кожного вимірювання в 0,1 мкс (з типовою для сучасного рівня технології частотою опитування 10 МГц) цей процес займе більше двох років. Наведені оцінки показують, що для реальної організації контролю вимірювання за необхідності повинні бути вибірковими. Тому ретельне опрацювання методики перевірки (відбір контрольованих параметрів, розробка ефективних алгоритмів випробування, а також розробка відповідної вимірювальної апаратури і програмного забезпечення) являє собою найважливішу і дуже складне завдання. p align="justify"> В даний час на шляху вирішення кожної групи перерахованих проблем досягнуті певні успіхи. Вирішальне значення підвищення ступеня інтеграції НВІС і УБІС мають розробка і практична реалізація конструкторсько-технологічних рішень, що дозволяють піднятися на якісн...
