Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Новые рефераты » Схемотехнічне проектування електронних пристроїв

Реферат Схемотехнічне проектування електронних пристроїв





о каскаду


Рис. 8. Перехідна характеристика проміжного каскаду


3. Аналіз вхідного каскаду


Рис. 9. Перехідна характеристика вхідного каскаду



. Аналіз підсилювача без ООС


Рис. 10. Перехідна характеристика підсилювача без ООС


Рис. 11. Амплітудно-і фазо-частотні характеристики підсилювача без ООС


. Аналіз підсилювача з ООС


Рис. 12. Перехідна характеристика підсилювача з ООС



Рис. 11. Амплітудно-і фазо-частотні характеристики підсилювача з ООС


. Перелік елементів

Поз.обозначение.НаименованиеКол.ПримечаниеУсилитель змінного сігналаВходной каскад на біполярному pnp транзістореРіс. 4 Генератор вхідного сігнала1ЕpІсточнік пітанія1Q1Транзістор КТ363А1Резістори R11300 Ом1R2555 Ом1Rg10 Ом1RK545 Ом1Rn, Re296 Пром1Re163 Ом1КонденсаториС111, 8 мкФ1С26, 67 мкФ1Сe1, 16 мФ1Промежуточн. каскад на біполярному pnp транзістореРіс. 3 Генератор вхідного сігнала1ЕpІсточнік пітанія1Q2Транзістор КТ363А1Резістори R17300 Ом1R2750 Ом1Rg545 Ом1RK284 Ом1Rn, Re2168 Ом1Re85 Ом1КонденсаториС113, 58 мкФ1С212, 4 мкФ1Сe11, 16 мФ1Виходной. каскад на біполярному pnp транзістореРіс. 2 Генератор вхідного сігнала1ЕpІсточнік пітанія1Q3Транзістор КТ3107К1Резістори R111850 Ом1R21000 Ом1Поз. Обозн .. НаименованиеКол.ПримечаниеRg284 Ом1RK230 Ом1Rn300 Ом1Re23 Ом1КонденсаториС12, 61 мкФ1С22, 61 мкФ1Сe1, 08 мФ1Усілітель із зворотного связьюРіс. 6 Генератор вхідного сігнала1ЕpІсточнік пітанія1Q3Транзістор КТ3107К1Q1, Q2Транзістор КТ363А2Резістори R111355 Ом1R12750 Ом1R217300 Ом1R22750 Ом1R3111850 Ом1R321000 Ом1Rg10 Ом1Rn, Re300 Ом1RK1545 Ом1RK2284 Ом1RK3230 Ом1RЕ11163 Ом1RЕ2185 Ом1RЕ3123 Ом1RОС612 Ом1Конденсатори С111, 8 мкФ1С211, 8 мкФ1С312, 4 мкФ1СОС0, 18956 мкФ1Сe11, 16 мФ1Сe211, 16 мФ1Сe21, 08 МФ1


Назад | сторінка 6 з 6





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Розмірний аналіз конструкції вузла вхідного вала конічного редуктора
  • Реферат на тему: Розрахунок і моделювання підсилювального каскаду на біполярному транзисторі
  • Реферат на тему: Розрахунок каскаду попереднього підсилення на біполярному транзисторі
  • Реферат на тему: Характеристика підсилювача низької частоти
  • Реферат на тему: Розрахунок параметрів ланцюга, вхідного і вихідного сигналів