П-подібна модель польового транзистора для змінного струму. Тут крім активного чотириполюсника Ітуні представлені внутрішні ємності транзистора.
СЗІ - ємність затвор - витік транзистора.
СЗС - прохідна ємність, ємність переходу затвор - стік.
S2 - крутизна в точці спокою.
Опір r зи велика і враховувати його немає необхідності.
На малюнку 12, б показана модель біполярного транзистора. У цій схемі використовується активний чотириполюсник типу ІТУТ - джерело струму, керований струмом. Тут вихідний струм i К управляється струмом бази i б, тобто i к=- h 21 * i б.
Тут також необхідно враховувати внутрішні ємності: ємності переходів база-емітер С б е і база-колектор З К:
(28)
де fт - частота одиничного посилення.
r б е - опори переходів база-емітер.
h 21 - коефіцієнт посилення по струму транзистора.
Істотну роль грають опору переходів база-емітер r б е:
(29)
І опору базового шару (об'ємний опір бази) rбб.
(30)
Де
Ск - ємність колекторного переходу.
- постійна часу ланцюга зворотного зв'язку.
Вхідний опір біполярного транзистора на змінному струмі:
h 11=r б б + r б е (31)
Джерелом сигналу є фототок I1 діода V1. Згідно малюнку 4, б опір фотодіода на змінному струмі визначається дотичній до вольт-амперної характеристиці в точці спокою А. Ця точка при від'ємному зміщенні знаходиться на пологому ділянці характеристики. Внаслідок того, що пріращеніе напруги вимірюється в вольтах, а прирощення струму в частках мікроампера, опір фотодіода змінному струму r Д =? u /? i виявляється значно більше, ніж опір постійному струму R Д, і r Д досягає 80 ... 100 Мом. Це дає право розглядати джерело сигналу як генератор струму. Надзвичайно великий опір r Д враховувати в еквівалентній схемі необхідності немає, залишається лише ємність фотодіода З Д (рисунок 13 а). На малюнку 13 б зображена еквівалентна схема фотодіода по змінному струмі з урахуванням його ланцюгів живлення.
а) б)
Малюнок 13
а) Модель фотодіода на змінному струмі
б) еквівалентна схема вхідного ланцюга
З'єднаємо моделі активних елементів згідно принципової схемою (малюнок 1) і отримаємо еквівалентну схему передпідсилювача по сигналу для всіх діапазонів частот (рисунок 14). Номери зовнішніх резисторів R1-R12 і конденсаторів C1-C6 цій схемі відповідають номерам резисторів і конденсаторів принципової схеми (малюнок 1).
Повна еквівалентна схема на змінному струмі наведена на малюнку 14.
Малюнок 14 - Повна еквівалентна схема по змінному струму
Опору резисторів в схемі (малюнок) 14 мають наступні номінальні значення (таблиця 6):
Таблиця 6
R1R2R3R4R5R6R7R8R9R10R11 МОмМОмкОмкОмОмОмкОмкОмОмОмОм11475, 1470300165,6330680160
Елементи, R12 - R16 не є резисторами, як показано на малюнку 14, вони відображають еквівалентні опори: зовнішнього навантаження (R12), ...
