Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Статьи » Дослідження впливу форми контактних майданчиків на параметри виникаючих коливань струму в напівізолюючих GaAs

Реферат Дослідження впливу форми контактних майданчиків на параметри виникаючих коливань струму в напівізолюючих GaAs





рес представляють 2 форми контактних майданчиків, а саме, плоско - загострена і увігнуто - загострена. Результатом цього може бути більш впорядкована розподілу поля на цих формах.

2) Було з'ясовано, що форма контактних майданчиків не впливає на форму генерованих коливань. Аналіз робіт [4-6] показав, що можливим чинником впливає на форму коливань струмових осциляцій, може є сама активна середу. Також це може бути пов'язано з тим що всі процеси рекомбінації заряду відбуваються не між контактами, а під одним з них.



Список використаних джерел


1.Муравскій Б.С., Григорян Л.Р., Рубцов Г.П., Чорний В.М. Перспективи використання рекомбинационной нестійкості струму у функціональній електроніці//

.Щука А.А. Функціональна електроніка//Успіхи сучасної радіоелектроніки. 2004. № 5-6. С. 149-168.

.Бонч-Бруєвич В.Л., Звягін І.П., Миронов А.Г. Доменна електрична нестійкість в напівпровідниках. М .: Наука, 1972. 416 с.

.Ібрагімов Х.О., Алієв К.М., Камилов І.К., Абакарова Н.С. Рекомбінаційна нестійкість і подвійне S-перемикання в p-Ge (Au)//ЖТФ. 2003. Т. 29 (3). С. 82-88.

.Успехі фізичних наук//1969. Т. 98 (4). С. 736-738.

.Муравскій Б.С., Куликов О.Н., Чорний В.М. Рекомбінаційна нестійкість струму в епітаксійних p + -n-структурах з локально введеними в n-область домішковими атомами і визначення параметрів глибоких центрів на її основі//ФТП. 2003. Т. 4 (37). С. 393-397.

.Многочастотная генерація в паралельних високоомних планарно-епітаксійних структурах на основі арсеніду галію

.Міхайлов А.І, Мітін А.В., Кожевников І.О., Особливості виникнення стійких коливань струму великої амплітуди в довгих високоомних планарно-епітаксіальнихструктурах на основі арсеніду галію



Додаток


Таблиця 2.

форма 1 (плоско-паралельна), В22402428244725243334263143403521192237202023472321252525252627222821312823262427

Таблиця 3.

форма 2 (плоско-загострена), В2429282928323224293034313735262738202833212626272735273031243323272831253126253128252927

Таблиця 4.

форма 32725382528293327283136202830252238343127243325,4202636352429342429243526283128283434

Таблиця 5.

форма 4 (вогнуто-заостренная)2523322327262726273030292424231927282520243028222933342522262023252722262725272130262923272824

Таблиця 6.

форма 1 (плоско-паралельна), мВ70180801503004015210204010021080115204030015060120605038050801001001101052010020625203018403022504080434018206024125150

Таблиця 7.

форма 2 (плоско-загострена), мВ801604010180400103040404060801503830201004050100110100175200606080100751810505064400804254010011015801502580120602010501251254020751757751007575202050110

Таблиця 8.

форма 3 (зустрічно-загострена), мВ110100280901004020804010071502003050100201003001020060305110204070308015060301001003270200200606012060120100200180801540

Таблиця 9.

форма 4 (увігнуто-загострена), мВ20301203070404040506010010010704010150301005070200801811040801001101002006010040020010014010015010040012070753202060

Таблиця 10.

форма 1 (плоско-паралельна), Гц200000250010000066666,620001000100000400006666,62500025000400125004166,61000001666633333,325005000500005000010000025000250005000666,6125005000250001250010000100000333333,350000200050000010000016666,6800010000020000

Таблиця 11.

форма 2 (плоско-загострена), Гц250001111,12000012500250001250083332857,111111,1666662500011111,1333337142,82000033332000010000028575000066666,61666640000125014285,711111,11250250001428,5100001000028571,41000001250001666,616666,68000500006666,61000066666,6200002500033333,36666,65000500001000025000010000011111,150000050000

Таблиця 12.

форма 3 (зустрічно-загострена), Гц16666,616666,610000016666,6250002000333332500012500666666666,650000666668000200004000016666,633333,3666616666,61000001666633333,3250003333333333,3100006666,68333,33333,32500013333,312500250020000200005000010000025002500083333,312500125006666,633333,33333,350007142,88000

Таблиця 13.

форма 4 (увігнуто-загострена), Гц66662857,1166666,61000020000033333,31666610000012506666633333,350000500005714,31000005000028571,490909,116666500001000001666610000500066666,628571,46666,65000010000033333,3250002500010000010000066666,65000016666,64000050000250004000050000500033333,350001000033333,33333,371428,511111,16666,63636,3

Таблиця 14.

Назад | сторінка 6 з 7 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Таблиця Excel
  • Реферат на тему: Електронна таблиця
  • Реферат на тему: Хімічна таблиця Менделєєва
  • Реферат на тему: Таблиця форматів стандартної поліграфічної продукції
  • Реферат на тему: Гра на уроках історії як активна форма навчання