гання pn переходу
ВИСНОВОК
У ході проробленої роботи був розроблений технологічний процес виготовлення схеми інтегрального підсилювача. Розраховані режими дифузії й окислювання, технологічна похибка виготовлення дифузійних резисторів. Були отримані наступні технологічні режими:
) для отримання базового шару виробляємо дифузію бору в дві стадії: час загонки становить 24,96 хв при температурі загонки +1223 К, коефіцієнт дифузії дорівнює 6,717 * 10-14 см2/с; час разгонки 37,1294 хв при температурі разгонки 1 423 К, коефіцієнт дифузії дорівнює 9,29425 * 10-12 см2/с;
) для отримання емітерного шару виробляємо дифузію фосфору в одну стадію: час дифузії 38,576 хв при температурі дифузії 1373К, коефіцієнт дифузії дорівнює 1,02259 * 10-13 см2/с;
) Для отримання діелектричних кишень проводимо термічне окислення кремнію за комбінованої технології. Температура окислення 1200К, час окислення 1,682 ч.
) Був проведений розрахунок перерозподілу домішок після окислення. В результаті окислення база-емітерний перехідний змістився углиб на 0.65 мкм і база-колекторний на 0,45 мкм.
) значення похибки виготовлення резисторів склало 25%, що обумовлюється великою глибиною pn переходу.
Список використаних джерел
1. Коледов Л. І. , Волков В. А. Конструювання та технологія мікросхем. Курсове проектування.- Москва: Вища школа, 1984 р
. В.М. Харченко - Основи електроніки. Навчальний посібник для технікумів., - М. Енергоіздат, 1982. - 352 с.
. Смирнова К.І. Технологія виготовлення напівпровідникових приладів та інтегральних мікросхем.-Томськ: ТУСУР, 1998.
. Парфьонов О.Д. Технологія мікросхем- Москва: Вища школа, 1986 р
. Єфімов І.Є., Козир І.Я., Горбунов Ю.І. Мікроелектроніка.- Москва: Вища школа, 1986 г
. Матсон Е.А., Крижанівський Д.В. Довідковий посібник з конструювання мікросхем - Мінськ: Вища школа, 1982 р
. Даніліна Т.І., Смирнова К.І. Процеси мікро- і нанотехнології Навчальний посібник, Томськ 2004
