Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Курсовые проекты » Розробка конструкції та технології виготовлення підсилювача низької частоти в інтегральному виконанні

Реферат Розробка конструкції та технології виготовлення підсилювача низької частоти в інтегральному виконанні





укторсько-технологічні вимоги до навісним компонентам


Крім плівкових резисторів задана схема має навісні компоненти. Їх вибір для конкретної мікросхеми ведуть виходячи з схемотехнических, конструктивно-технологічних та інших вимог, які пред'являються до параметрів, габаритам і методам збірки розроблювальної конструкції.

Установку, способи кріплення і методи приєднання начіпних компонентів в мікросхемі регламентує ОСТ4.Г0.010.043.


Назад | сторінка 7 з 7





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Розробка схеми підсилювача низької частоти
  • Реферат на тему: Розробка технології конструкції лабораторного стенду для дослідження параме ...
  • Реферат на тему: Розробка гібридної інтегральної схеми підсилювача електричних сигналів низь ...
  • Реферат на тему: Розробка конструкції гібрідної мікросхеми
  • Реферат на тему: Вимоги, що пред'являються до реклами