док, коли середня величина Довжина вільного пробігу молекул на Верхній горізонтальній поверхні підкладок в обох Напрямки складає 180 про . У Верхній точці вертікальної поверхні кут Падіння складає Всього лиш 90 про , тому товщина плівкі зменшується в 2 рази. Вздовж вертікальної стінкі кут Падіння Ф візначається шириною вікна, а товщина плівкі, яка пропорційна кту Падіння, может буті Визначи по Формулі:
В
де П‰ - ширина вікна, d - відстань від верхньої поверхні. При такому методі відтворення рельєфу Товщина плівок на вертікальній поверхні стугенькі можливе Утворення тріщіні, что обумовлено ефектом самоекранування.
На рис. Наведено діаграма, яка відтворює випадок відсутності поверхневої міграції и малих значень середньої довжини вільного пробігу молекул. Як видно Із діаграмі, при цьом кут Падіння молекул реагентів у Верхній точці стугенькі складає 27 про . Це виробляти до більш Товстого кулі в Цій точці. Кут Падіння на дно стугенькі Рівний позбав 90 про , тому поглиблене місцях більш тонкий куля плівкі.
Табл. 5.1. Властивості двоокіс кремнію
Методи осадженим
осадженим Із газової Суміші при пониженому тіскові
Плазмохімічне осадженим
Температура К
973 - 1073 К 6
523 - 623 К
Склад
Si 3 N 4 (H)
SiN x H x
Відношення Si/N
0,75
0,8 - 1,2
Вміст H, ат%
4 - 8
20 - 25
Коефіцієнт заломлених
2,01
1,8 - 2,5
Густина г/см 3
2,9 - 3,1
2,4 - 2,8
Діелектрічна стала
6 - 7
6 - 9
Номінальній Опір Ом . см
1016
10 6 - 10 15
Електрічнаміцність 10 6 В/см
10
5
Ширина забороненої Зони еВ
5
4 - 5
Пружні напруги
100 (розтягуючі)
20 стяг. - 50 розтяг. /Td>
У табліці пріведені Властивості плівок двоокісу кремнію осадженим різнімі методами включаючі плазмохімічне осадженим. [1]
У основного плівкі оксиду, осаджені при високих температурах, проявляють Властивості, подібні з термічно вірощенімі плівкамі двоокісів кремнію. Альо високотемпературна осадженим НЕ может буті Використана на поверхні алюмінієвої металізації и тому не застосовується для пасивування поверхні сформованому прістроїв. У зв'язку з ЦІМ для пасивування Використовують нізькотемпературне осадженим легованих фосфором плівок двоокісу кремнію, що не Дивлячись на погане відтворення ними рельєфу поверхні и гірші Властивості плівок.
5.2 Нітрід кремнію
Стехіометрічній нітрід кремніюSi 3 N 4 Використовують для пасивування поверхні напівпровідніків та пріладів з ціх сформованому на кремнієвіх підкладках. Вибір нітріду кремнію для цієї мети поясніті тім, что ВІН представляет свой надійний бар'єр для діфузії молекул види та іонів натрію, Які могут привести до корозії металізації ІС або до нестабільності ее електричних характеристик. Нітрід кремнію такоже вікорістовується в якості маски для локального окислених кремнію, что обумовлено НИЗЬКИХ швідкістю окислених самого нітріду кремнію. Тому при створенні фотолітографічного малюнку на маски чому покрітті на Основі нітріду кремнію и послідуючим термічнім окислених закрітті маскуючою плівкою Шарі більше не окіслюються. Це є процес локального окислення, вікорістовується в мікроелектроніці для Формування ізопланарніх структур.
Хімічне осадженим нітріду кремнію здійснюють за рахунок Реакції между силаном и аміаком при атмосферному тіскові и температурі 973 - 1073К. Процеси Які при цьом проходять можна записатися Наступний формулами ^
3SiH 4 + 4NH 3 в†’ Si 3 N 4 + 12H 2
3SiCl
