нім 20-30 нм. Останні складають близьким 20% від загально числа дротів. У докрітічному стані нанодроті НЕ утворюються, и позбав досягші Тиску 20 МПа смороду стають головним продуктом синтезу. У відсутність органічного Розчинник (толуолу) Формування дротів НЕ відбувається [10].
За Даними EDS (Energy Dispersive X-ray Spectroscopy) i ПЕМ, серцевина коаксіальніх дротів Складається з оксиду вольфраму, а оболонка утворена аморфним Вуглець. Зх даніх рентгенівської діфракції Було Визначи, что серцевина сформована монокліннімі кристалами WO 3 , и таку ж структуру мают и Прості нанодроті.
Розділ 2. Кінетіка Формування нанодроту в процесі вакуумної конденсації металів на поверхню кристала
Одним з основних способів создания дискретних наноструктур є Вакуумна конденсація з парової фази. Зокрема, Формування нанопроволок металів на поверхні Si при вакуумній конденсації.
Зародження острівців при вакуумній конденсації может відбуватіся як на бездефектний ділянках підкладкі, так и на активних центрах. При декоруванні острівцямі металів поверхні іонніх крісталів ВИБОРЧИЙ Зародження відбувається на дефектах Наступний тіпів: центрах фарбування, атомах домішок, вакансіях, Поверхнево дефектах деформаційного Походження (Лінії ковзання, Ступені скла) i дефектах ЗРОСТАННЯ (Ступені ЗРОСТАННЯ, дефекти "шорсткості" поверхонь, виходи діслокацій). За помощью методу декорування поверхні підкладкі Бетге візуалізував моноатомні Ступені на поверхні скла монокристалів NaCl при вакуумній конденсації золота. На площіні скла (100) кристала кам'яної СОЛІ декоруючі Частинку Au маються в своєму розпорядженні рядами уздовж ступенів и у вігляді ізольованіх частинок на гладких ділянках. Лінійна щільність зародків на ступенях скла на порядок больше, чім на решті Частини підкладкі, что может приводити до Утворення суцільного нанодроту на щаблях раніше, ніж На бездефектній підкладці наступити поріг коалесценції. У цьом випадка нанодріт уздовж ступенів можна використовуват як провідник електричного Струму [8].
Слід Зазначити, что в острівніх металевих плівках на діелектріці перенесеного заряду від острівця до острівця здійснюється декількома механізмамі, основної з якіх є термоелектронна ЕМІСІЯ и тунелювання (Скачкова провідність), причому зазвічай переважає Останній. Вірогідність тунелювання експоненціально збільшується Із Зменшення міжострівного проміжку, тому острівні плівкі стають провіднімі ще до Настанов коалесценції. Електропровідність острівковіх плівок зареєстрована при характерній відстані между острівцямі 100 Г….
Навколо Поверхнево стоків утворюються Зони захоплення, де Із-за зніженої концентрації адатомів мала вірогідність Утворення острівців. Із ЗРОСТАННЯ острівця число місць адсорбції, Яку ВІН займає, и площа Зони его захоплення безперервно збільшуються. У Справжній работе розмір Зони захоплення пріймається рівнім декільком міжатомною відстанню.
Дана модельної системи є крісталічною підкладкою з діелектріка (для конкретних обчислень - іонній кристал), что містіть Ступені и Активні центри Зародження (вакансії у Поверхнево шарі), на якові конденсуються металеві атоми з потоку R (cm -2 s -1 ). Конденсація вважається ПОВНЕ, вірогідність создания зародків на бездефектний ділянках підкладкі пріймається малою. У МОДЕЛІ НЕ Враховується Розпад зародків на підкладці, тоб один атом металу на Ступені або на активному центрі є стабільнім зародки, Якого далі назіватімемо острівцем. Ступені и Активні центри розглядаються як нескінченні стоки для діфундуючіх до них адсорбування атомів. Таким чином, на підкладці протікають два Процеси, Контролюючим кінетіку ЗРОСТАННЯ острівців на сходах и активних центрах: припливу атомів на підкладку за рахунок вакуумної конденсації и діфузійній відтік адатомів до ступенів и активних центрів Зародження. Година Формування нанодроту пріймається рівнім годині ЗРОСТАННЯ острівців на Ступені до фізічного Зіткнення з Сусідами. У цею момент на решті Частини підкладкі ступінь покриття такий, что коалесценція відсутня, и Радіус острівця r p однозначно менше відстані между ними [13].
Для випадка повної конденсації рівняння діфузії адатомів до ступенів запише у вігляді
(2.1)
де c (x, t) - концентрація адатомів на підкладці; D - коефіцієнт поверхневої діфузії; N d - Поверхнево щільність дефектів на підкладці; N 0 - щільність місць адсорбції; Пѓ - число захоплення адатомів активним центром, Яку візначається кількістю місць адсорбції, занятих куполоподібнім острівцем, з врахування місць адсорбції в самій зоні захоплення.
Коефіцієнт діфузії візначається Стандартним вирази
(2.2)
де E d - енергія актівації діфузії; О· - ймовірність того, что нове місце адсорбції діфундуючого атома вільне. Так як число місць адсорбції однозначно превіщує число атомів на підкладці, можна...
