,57). p> Процес отримання плівок включав в себе нанесення на підкладку методом термічного напилення шарів міді, індію, селеніду цинку і подальший двоступінчастий температурний відпал в парах селену в атмосфері інертного газу (азот). В якості підкладок використовувалося боросилікатне скло. Плівки Cu-In товщиною 0,5-0,7 мкм наносилися на підкладку, на яку попередньо був обложений шар ZnSe. На першій стадії селенізаціі підкладки з попередньо нанесеними шарами Cu-In-ZnSe витримувалися при температурі 240-260 0 С протягом 20-30 хвилин а на другій стадії температура становила 520-530 0 С, а час витримки становило 15-20 хвилин. У результаті селенізаціі отримані полікристалічні плівки р-типу провідності товщиною 1,5-2,0 мкм. Коефіцієнт термоедс плівок при кімнатній температурі становив 100 мкВ/К.
Час життя не основних носіїв заряду в досліджуваних плівках (П„) було визначено методом загасання фотопровідності при порушенні плівок прямокутними імпульсами світла з довжиною хвилі О» = 0,635 мкм. В якості джерела світла застосовувався напівпровідниковий лазерний модуль типу МЛН-3, що працює в імпульсному режимі з швидкодією <0,5 мкс. Для отримання електричних контактів до плівок застосовувався струмопровідний клей "Leit-C", за допомогою якого до досліджуваної плівці приклеювалися мідні провідники. Попередніми дослідженнями було встановлено, що отримані таким способом електричні контакти є омічними в температурному інтервалі 80-400 К. Ширина забороненої зони досліджуваних плівок Е g визначалася з фундаментального краю оптичного поглинання за стандартною методикою.
У результаті досліджень було встановлено, що з підвищенням температури час життя не основних носіїв заряду в плівках зменшується і в температурному інтервалі Т = 80 - 300 К величина П„ змінюється від П„ = 3,5 В· 10 -4 с. при Т = 80 К до П„ = 0,6 В· 10 -4 с. при Т = 300 К.
При підвищенні концентрації атомів цинку ширина забороненої зони збільшується з швидкістю dE g /dT = 2,4 В· 10 -2 еВ/ат.%. Для досліджуваних плівок c концентрацією атомів цинку N Zn = 4,7 ат.% ширина забороненої зони E g = 1,146 еВ при Т = 300 К (Рис.1). br/> В
Рис.4. Спектральна залежність коефіцієнта поглинання для плівок з концентрацією Nz n = 4.7 ат.%. p> Рис.5. Температурна залежність електропровідності для плівки з концентрацією атомів цинку Nz n = 4.7 ат.%.
Т = 300 К
Для визначення енергій активації енергетичних рівнів створених у забороненій зоні власними дефектами та ідентифікації типів дефектів були досліджені температурні залежності електропровідності плівок в температурному інтервалі
Т = 80-400 К (Рис.2). Температурні залежності реєструвалися при підвищенні температури зразків після попереднього охолодження їх до температури рідкого азоту. Встановлено, що електропровідні...
