сть плівок при зміні температури змінюється в Відповідно до відомої залежністю Пѓ = Пѓ про exp (-О”E a /kT) де О”E a - енергія активації відповідного енергетичного рівня у забороненій зоні, визначає зміну електропровідності в заданому температурному інтервалі.
Значення енергій активації визначалися по нахилу прямолінійних ділянок в побудованих залежностях ln Пѓ = f (1000/T). Енергії активації для досліджених плівок з концентрацією атомів цинку N Zn = 4,7 ат.% Становила О”E a 1 = 74 меВ в температурному інтервалі Т = 200-400 К і О”E a 2 = 15 меВ в температурному інтервалі? Т = 100-150 К. Так як досліджувалися плівки з надлишком атомів індію, то найбільш ймовірними дефектами у плівках є вакансії міді (V Cu ) і дефекти заміщення типу атом індію на місці атома міді (In Cu ) і атом цинку на місці атома міді (Zn Cu ). У результаті проведених досліджень з урахуванням літературних даних про існуючі дефектах та їх енергіях активації в напівпровідниковому з'єднанні CuInSe 2 [1] можна припустити, що енергія активації О”E a 1 відповідає дефектів Zn Cu а енергія активації О”E a 2 відповідає дефектів V Cu .
Таким чином, в результаті проведених досліджень встановлено, що інкубаційний період зростання кристалітів фуллериту залежить від товщини покриває шару олова і становить 12 і 22 місяці при d Sn = 50 нм і d Sn = 200 нм відповідно. Джерелом енергії утворення кристалітів є внутрішні механічні напруги, зростання відбувається за дифузійно-дислокаційної механізму.
Література
1. Мельник І.А. // Изв. вузів. Фізика, 2004, № 5, с. 19-26. p> 2. Melnik I. A. // New Energy Technologies, 2005, № 1, p.58-69. p> 3. Мельник І.А. // Заявка на винахід № 2006136319, ФІПС, 2006.
4. Мельник І.А. // Изв. вузів. Фізика, 2006, № 5, с.32-38. p> 5. Єрьомін В.К., Строкан Н.Б., Тіснек Н.І. // Фізика напівпровідників, Вип.11, 1974, с.2224-2227. p> 6. Панчелюга В. А, Шноль С.Е. // VI Міжнародна кримська конференція "Космос і Біосфера". Тези доповідей 26 вересня -1 жовтня 2005, Крим, Партеніт. p> 7. Акімов А.Є., Тарасенко В.Я. // Изв. вузів. Фізика., 1992, № 3, с.5-12.55 с. br/>
