sub> 2 O спостерігалося утворення слідів МД у вигляді горбків округлої і тетрагональної форми, яка давала хороший контраст при мікрооптичних спостереженні. Форма слідів істотно не змінювалася при травленні на глибину в десятки мікрометрів (В«ефект пам'яті формиВ»). Показано, що однією з особливостей розчинів з даними окислювачем, включаючи відомі В«травители СіртлаВ», є збільшення розміру слідів при збільшенні товщини стравленнимі шару (В«ефект збільшенняВ»). Слід зазначити відмінності в формі слідів МД при розчиненні поверхонь різних марок кремнію в ідентичних травителях даної системи. Наприклад, при травленні на глибину до 160 мкм на поверхні БКДБ - 4,5 формуються сліди МД виключно округлої форми і невеликого діаметра (до 20 мкм), а на поверхні БКДБ-12 розвиваються сліди як округлої, так і тетрагональної форми, причому діаметр останніх досягає 80 мкм. Спостережувані відмінності у складі слідів різної форми на поверхні досліджуваних марок кремнію обумовлені розходженням атомних структур дефектів-прабатьків і відмінністю умов їх формування у процесі вирощування кристалів. Дефектовиявляющіе травители з окислювачем K 2 Cr 2 O 7, включаючи відомий В«Травитель СеккоВ», також формують різний дефектно-контрастний рельєф на поверхні різних зразків кремнію. Однак, на відміну від травителей HF - CrO 3 - H 2 O дані розчини формують сліди МД іншої форми, геометричні параметри яких (висота і діаметр) майже не змінюються із збільшенням товщини стравленнимі шару, тобто В«Ефект збільшенняВ» в даних розчинах виражений слабкіше. p> Зазначимо, що цей ефект визначає недостатню адекватність поширеного способу класифікації мікродефектів за розміром їх слідів [3, 4], т. к. він відповідальний за утворення великих і малих слідів від мікродефектів одного сорту, якщо останні були розташовані на різній глибині стравленнимі шару.
Отримані експериментальні дані дозволили виділити перспективні склади дефектно-контрастних травителей і запропонувати нові методики якісного та кількісного аналізу змісту мікродефектів в монокристалах кремнію, засновані на комбінованому використанні нових розчинів у поєднанні з докладним аналізом форми слідів мікродефектів на травлення поверхні.
Ширина забороненої зони синтезованих плівок, розрахована зі спектрів оптичного пропускання, варіюється в діапазоні 1,27 - 1,41 еВ, що відповідає вимогам високоефективного фотоперетворення сонячного випромінювання
Висновок
Отримані результати свідчить про перспективність запропонованого методу синтезу тонких плівок CIGSS, використовуваних для створення високоефективних тонкоплівкових ФП. Це обумовлено можливістю синтезу однофазних плівок CIGSS із заданими фізичними характеристиками (ширина забороненої зони, розподіл компонент по глибині, коефіцієнт оптичного поглинання, питомий електричний опір і пр.) допомогою контролю співвідношення компон...
