n="justify"> 1.2.3 Формування напруги на колекторі
Частина схеми формування пилкоподібної напруги на колекторі досліджуваного транзистора Q3 ідентична відповідній частині схеми з використанням цифрового лічильника К155ІЕ5 і детально описана вище в пункті 1.1.3.
Рис. 18. Графік вихідний вольт-амперної характеристики транзистора Q8 при різних струмах бази
2. Моделювання характеристик біполярних транзисторів
Біполярний транзистор - це напівпровідниковий прилад з двома взаємодіючими розпрямлюючими електричними переходами і трьома (або більше) висновками, підсилювальні властивості якого обумовлені явищами інжекції та екстракції неосновних носіїв заряду.
.1 Статичні характеристики біполярного pnp транзистора в схемі з загальною базою
Рис. 19. Схема моделювання біполярного pnp транзистора із загальною базою
2.1.1 Вхідні характеристики
Параметри моделювання:
. DC LIN I_I1 0 10m 0.001m
. STEP V_V1 LIST 0100
. PROBE V (alias (*)) I (alias (*)) W (alias (*)) D (alias (*)) NOISE (alias (*))
. INC «.. SCHEMATIC1»
Рис. 20. Вхідна характеристика біполярного pnp транзистора в схемі з загальною базою
Як видно з графіка, із зростанням колекторного напруги зменшується падіння напруги на емітерний перехід, що свідчить про наявність негативного зворотного зв'язку по постійній напрузі.
2.1.2 Вихідна характеристика
Параметри моделювання:
. DC LIN V_V1 - 20 січня 0.01
. STEP I_I1 LIST 1m 2m 3m 4m 5m
. PROBE V (alias (*)) I (alias (*)) W (alias (*)) D (alias (*)) NOISE (alias (*))
. INC «.. SCHEMATIC1»
Рис. 21. Вихідна ВАХ біполярного pnp транзистора в схемі з загальною базою
Початкова ділянка графіка (V1 <0) відповідає режиму насичення транзистора, а область постійного струму колектора - активному режиму роботи.
2.2 Статичні характеристики біполярного pnp транзистора в схемі з загальним емітером
Рис. 22. Схема моделювання вихідних ВАХ біполярного pnp транзистора в схемі з загальним емітером
2.2.2 Вихідна характеристика
Параметри моделювання:
. DC LIN V_V1 0 20 0.01
. STEP I_I1 LIST 0 0.1m 0.2m 0.3m 0.4m 0.5m
. PROBE V (alias (*)) I (alias (*)) W (alias (*)) D (alias (*)) NOISE (alias (*))
. INC «.. SCHEMATIC1»
Рис. 23. Вихідна ВАХ біполярного pnp транзистора в схемі з загальним емітером
Виден помітний нахил характеристик в області активного режиму роботи транзистора, що пов'язано із залежністю коефіцієнта передачі транзистора по струму від напруги на колекторі через модуляції товщини базової області транзистора колекторним напругою.
2.2.3 Характеристика зворотного зв'язку
