stify"> Параметри моделювання:
. DC LIN V_V1 0.001 400m 0.0001
. STEP I_I1 LIST 0.1m 0.3m 0.5m
. PROBE V (alias (*)) I (alias (*)) W (alias (*)) D (alias (*)) NOISE (alias (*))
. INC «.. SCHEMATIC1»
Рис. 24. Графік характеристики зворотного зв'язку по напрузі біполярного pnp транзистора
З графіка видно, що в схемі з загальним емітером зворотний зв'язок по напрузі позитивна.
2.2.4 Характеристика прямої передачі
Параметри моделювання:
. DC LIN I_I1 10u 500u 0.01u
. STEP V_V1 LIST 10 січня
. PROBE V (alias (*)) I (alias (*)) W (alias (*)) D (alias (*)) NOISE (alias (*))
. INC «.. SCHEMATIC1»
Рис. 25. Графік залежності коефіцієнта передачі по струму від робочого струму при різних колекторних потенціалах біполярного pnp транзистора
При малих токах бази коефіцієнт передачі наростає з ростом струмом бази, що пов'язано з появою електричного поля в базі. Спад само при великих токах бази пов'язаний з ефектом Федотова-Кірка (зростання товщини бази в біполярному транзисторі із зростанням струму колектора при незмінній напрузі на колекторі, викликане зменшенням розміру області просторового заряду колекторного переходу через збільшення концентрації неосновних носіїв у базі при великих токах колектора ).
2.3 Частотні характеристики
Рис. 26. Схема моделювання частотних властивостей біполярного pnp транзистора
Крім моделювання частотних властивостей схеми із загальним емітером з моделювання цієї ж схеми можна також отримати і частотні властивості схеми із загальною базою.
2.3.1 У схемі із загальною базою
Параметри моделювання:
. AC LIN 1000 10 20Meg
. STEP I_I1 LIST 10u 20u 50u
. PROBE V (alias (*)) I (alias (*)) W (alias (*)) D (alias (*)) NOISE (alias (*))
. INC «.. SCHEMATIC1»
Рис. 27. Частотна залежність коефіцієнта передачі біполярного pnp транзистора при різних струмах бази у схемі із загальною базою
З ростом частоти зростає шунтуючі дію бар'єрних ємностей pn переходу і в струмі емітера зростає не що з підсилювальними властивостями транзистора емкостная складова струму емітера, тому підсилювальні властивості транзистора погіршуються. З ростом струму бази посилюється дія поля, створюваного рухливими носіями заряду, що прискорює рух неосновних носіїв заряду. Внаслідок цього час прольоту через базу зменшується, зменшується рекомбінація в базі і до колектора доходить більше число неосновних носіїв заряду.
Параметри моделювання:
. AC LIN 1000 10 20Meg
. STEP V_V1 LIST 1 20 травня
. PROBE V (alias (*)) I (alias (*)) W (alias (*)) D (alias (*)) NOISE (alias (*))
. INC «.. SCHEMATIC1»
Рис. 28. Частотна залежність коефіцієнта передачі по струму біполярног...
