Реферат Накопичувачі інформації

Тема: Курсовые проекты

ує певна узгодженість тільки в розташуванні сусідніх частинок. З збільшенням відстані між двома вибраними атомами узгодженість зменшується, а потім і зовсім зникає. Кристалам, навпаки, притаманне регулярне розташування частинок, яке з певним періодом повторюється у трьох вимірах. У природі аморфний стан менш поширене, ніж кристалічна, причому більшість речовин отримати в такому виді не вдається зовсім. Тим дивніше, що ряд речовин в аморфному стані має властивості напівпровідників. До останніх, зокрема, відносяться халькогенідні скла.

У OUM-технології використовуються унікальні властивості халькогенідів, що відкривають можливість для їх практичного застосування у флеш-пам'яті. Під дією електричного ока вони можуть переходити з аморфного стану в кристалічний, причому час переходу зазвичай менше 10 -10 -10 -12 с.

Значне відмінність величин електричного опору в аморфному і кристалічному стані дозволяє визначати поточний стан осередку, забезпечуючи запис логічних нуля і одиниці. Переваги цієї технології - більша, ніж у флеш-пам'яті, число максимальних циклів перезапису, збільшена швидкість доступу, підвищена ємність і низька собівартість. Правда, в порівнянні з MRAM пам'ять OUM володіє меншим швидкодією. p> Існують також подібні OUM технології, що отримали назва Chalcogenide RAM (CRAM) і Phase Change Memory (PRAM). Вони також засновані на тому, що речовина може переходити з аморфної фази в кристалічну під впливом електричних полів. На відміну від флеш-пам'яті вони стійкі до впливу іонізуючого випромінювання. Однак за енергоспоживанню вони програють флеш-пам'яті [7].

ВИСНОВОК

Таким чином, можна сказати, що жорсткі диски ще довго будуть зберігати лідируючі позиції на ринку ВЗП. Це пов'язано з низькою вартістю запису в порівнянні з CD, які є гідними конкурентами за обсягом записуваної інформації. Різні способи зберігання і запису інформації відповідають різним цілям. На поточний момент не існує універсального ВЗП, яке може бути використане як постійне і переносне одночасно і бути при цьому доступним звичайним користувачам. За Очевидно, в найближчі роки нам доведеться так само користуватися вінчестерами в якості основного носія, хоча думка не стоїть на місці, і ніхто не знає, що ще може винайти людина незабаром. p> Останні два десятиліття характеризуються стрімким прогресом розвитку технологій у області запису і зберігання інформації, однією з яких є флеш-пам'ять. Але технології розвиваються швидко, і хтозна, чи не доведеться через десяток років здувати пил з новин про застосування флеш-пам'яті.

В СПИСОК ЛІТЕРАТУРИ

1. Єфімова О., Морозов В., Шафрін Ю. - В«Інформатика та обчислювальна технікаВ» - М.: АБФ, 1998 - 655С. p> 2. Макарова Н.В. - В«ІнформатикаВ» - М.: Фінанси і статистика, 2005 - 768с.: Іл. p> 3. Фігурне В.Е. - В«IBM PC для користувача. Короткий курс В»- М.: ИНФРА-М, 1998. - 480 с.: Іл. p> 4. Світ ПК. - Старкова М. - В«У твердій пам'яті? В»- січень 2006

5. Світ ПК. - Полтев С. - В«Система центрального накопичення В»- березень 2006

6. Світ ПК. - Воробйов Р. - В«Жорсткий відсіч флеш-пам'яті В»- жовтень 2006 р.

В РОЗДІЛ 2. ОПИС РОЗРАХУНКУ інваріантної кошторису витрат З Допомогою електронних таблиць EXCEL

Завдання

1. Скласти розрахунок інваріантної кошторису витрат на ремонт квартири.

2. Побудувати діаграму структури витрат за кошторисом.

3. Розробити два сценарії для розрахунку витрат при зміні цін на матеріали і розцінок на виконання робіт.

4. Підібрати параметри для розрахунку можливих розмірів цін при заданій величині витрат.

5. Скласти план погашення кредиту на витрати по кошторису і розрахувати майбутню вартість витрат.

РОЗРАХУНОК інваріантної кошторису витрат НА РЕМОНТ КВАРТИРИ

Скласти кошторис на ремонт квартири на основі наступних даних:

- об'єкт ремонту;