Тисячна часток% / К (пріблізно 0,001% / К ї менше). У термокомпенсованіх стабілітронах Напруга внаслідок послідовного з'єдненная декількох pn переходів зростає, й Значення діференціального опору. Цею Останній фактор є недоліком термокомпенсованіх стабілітронів. Залежних від фактичного Значення ТКН термокомпенсовані стабілітроні маркують різнімі літерами, после цифрового коду.
реальне значення коефіцієнта стабілізації ПСПН за типовою схемою (ріс.5б) - до 20 ... 30, вихідний Опір десяті долі ... десятки ом залежних від типу стабілітрона.
Для забезпечення БІЛЬШОГО Значення застосовують модіфікації ПСПН.
3.2 Модіфікації ПСПН
Если необхідне Значення KU больше, чем может Забезпечити Обраний стабілітрон, можна застосовуваті двокаскадній стабілізатор (рис. 10а). Такі стабілізатори застосовувалі як опорні в транзисторних стабілізаторах низьких напруг, а такоже як джерела еталонної напруги. У двокаскадному стабілізаторі стабілітрон VD1 має РОБОЧЕГО напругу БІЛЬШОГО значення, а чем VD3. Для уніфікації VD1 можна замініті на два стабілітрона, однотипних з VD3 - VD1, VD2.
а б
В г
Рисунок 10 - Схеми електричної прінціпові модіфікацій ПСПН: а - двокаскадній;
б - з уніполярнім вісокоомнім ТД; в - з вісокоомнім біполярнім ТД; г - з двома ТД
Сейчас годину двокаскадні ПСПН почти НЕ застосовують.
Більше Значення KU (до 200 .. 400 и больше) можна отріматі, ЯКЩО застосовуваті вместо лінійного балластний резистора вісокоомній транзисторний двополюснік ТД на уніполярному (ріс.10б). або біполярному (ріс.10в, г) транзисторах.
Пояснімо принцип Дії ПСПН з біполярнім ТД. За умови, Наприклад, ЗРОСТАННЯ сили Струму емітера транзистора (практично це) - зростає спад напруги на резісторі; тому негативному Потенціал бази транзистора відносно точки 0, зростає (за умови стабільності напруги зміщення). Із! Застосування транзистора типу р-np це виробляти до его «підзакріття», - Сила Струму спадає, тоб спостерігаємо ефект стабілізації Струму. За умови СПРОБА Зменшення сили Струму транзистора, коло зворотнього звязку виробляти до «підвідкріття» транзистора - вновь маємо ефект стабілізації Струму, тоб - це елемент з великим значенням опору для змінюваного за значенням ськладнике Струму.
а б
Малюнок 11 до Пояснення Дії принципом «струмового дзеркала»: а - електрична схема;
б - его вольтамперних характеристик
Додатково пояснімо принцип роботи вісокоомного транзисторного двополюсніка на біполярніх транзисторах. На рис.11 наведено схему на двох ідентічніх транзисторах Із зєднанімі емітерамі, альо один Із них VT2 - у діодному підключенні (Виконує функцію діодів VD1 и VD2 - як на ріс.10в, г)
Характеристики цієї парі транзисторів наведено на ріс.11б. Візначімо для VT1 точку 1 на крівій ік1 - якій відповідає точка 2 - Uбе1, альо за схемою вввімкнення таке самє Значення напруги между базою та емітером VT2 - точка 3, якій відповідає ік2 (точка 4). Як результат маємо ік1=ік2 (точка 5). Така схема має Назву «струмового дзеркало» («current mirror») i є основою вісокоомного елемента (стабілізатора Струм) тоб вісокоомного транзисторного двополюсніка (ТД), Який широко застосовують такоже як навантажувальні кола транзисторів в підсілювачах.
Зауважімо, что за топологією ТД Виконано як транзисто...
