рний фільтр ФК Із заміною конденсаторів Сб-С, відповідно, на VD1, VD2 та VD3 (рис 10в).
Для транзисторного двополюсніка скорістаємось формулою (4.47) Із відповідною заміною xСб на Rст, тому
. (18)
За умови великого значенні коефіцієнта стабілізації Ланки Rб / Rст,,, тоб
(19)
Із (18) маємо.
Если нерівність (19) не виконан (что МОЖЛИВО ЗА умови Uст <3 ... 5B), то Rб ~ зменшується и Ефективність ТД зніжується. Тоді вместо Rзм доцільно Встановити ще один ТД на транзісторі VT2, а як джерело напруги зміщення застосуваті вихідний стабілітрон (рис. 10г).
Значення коефіцієнта стабілізації ПСПН з ТД зазвічай становіть 200 ... 400 ї может буті больше. Значення віхідного опору візначає Диференціальний Опір стабілітрона, тоб - лишається без змін, як у звічайній ПСПН.
Далі зясуємо, Яким чином реалізують параметрічні стабілізатори змінної напруги.
4. Параметрічні стабілізатори змінної напруги
.1 Електромагнітні стабілізатори без конденсаторів
В колах змінного Струму для реалізації параметричного стабілізаторів такоже звітність, застосовуваті елєменти типом ZU (стабілізатор напруги), або ZI (стабілізатор Струм). Зясуємо принцип Дії параметричного стабілізатора на Основі дроселя з феромагнітнім осердям.
На рис. 12а, наведено залежність індукції (Густиня магнітного потоку) від напруженості магнітного поля - характеристику В (Н) для дроселя Із феромагнітнім осердям. Напруга на дроселі (за умови нехтування активного опору его обмотки) пропорційна магнітній індукції В, а напруженість магнітного поля Н пропорційна сілі Струму, Який проходити через обмотку дроселя, тому залежність U=(Aw) буде мати такий самий вигляд, як и крива В= f (H). Таким чином, дросель має характеристику типу ZU (рис.12).
Із! застосування баластних лінійного елемента (Lб), увімкненого послідовно з елементом, Який має характеристику типу ZU (насіченій дросель) Lнд (ріс.12б), можна реалізуваті стабілізацію напруги. Балластний Lб, - ненасіченій дросель (лінійній) Забезпечує більшій ККД стабілізатора порівняно з балластний резистором.
а б
Малюнок 12 - До принципом Дії електромагнітного стабілізатора напруги
а - характеристика дроселя, б - схема електрична принципова
качанів зони стабілізації є точка крівої U=f (I), позначені на рис.12, яка відповідає насіченню осердям дроселя, а самє нелінійному режиму дроселя. На рис.12, б наведено принципова схему найпростішого електронного стабілізатора напруги.
Початок ділянки стабілізації візначає качан насічення дроселя Lн.д, Кінець - качан насічення балластний дроселя Lб, тоб Перетворення стабілізатора в дільнік напруги, з двох нелінійніх реактивних ЕЛЕМЕНТІВ. Осердям дроселя Lб є Із немагнітнім зазором, что запобігає его насіченню за менших Розмірів и відповідно витрат матеріалів.
Реалізуваті параметрично стабілізатор змінної напруги Можливо на одному магнітопроводі за конструкцією з магнітнім шунтом - (рис.13), та - з компенсаційною обмоткою (ріс.13б), еквівалентні схеми - відповідно, ріс.13в та ріс.13г, залежності відповідно на рис 13д та 13е.
В обох конструкціях Первін обмотку розташовано на центральному осерді - І, (осердям назівають Частину магнітопроводу, на якій розташована обмотка), є такоже насіченій магнітопровід, Який реалізує насіченій дросель - ІІ та ненасіченій дрос...
