е обмеження на перекриття обкладокконденсатора.
Для конденсатора С1:?? =??=+ ·=См;
Для конденсатора С2:?? =??=+ ·=См;
Для конденсатора С3:?? =??=+ ·=См;
Визначаємо габаритні розміри АД і ВД діелектрика.
Для конденсатора квадратної форми
АТ=ВД=АН +2 g
де: g? 100 мкм - технологічне обмеження на перекриття нижньої обмотки конденсатора діелектриком.
Для конденсатора С1: АТ=ВД=+ ·=см;
Для конденсатора С2: АТ=ВД=+ ·=см;
Для конденсатора С3: АТ=ВД=+ ·=см;
Визначаємо площу SCi, займану конденсатором.
Площа конденсатора визначається площею діелектрика:
SCi=Sд=АД · ВД
Для конденсатора Cl: SС1=SД == см2
Для конденсатора С2: SС2=SД == см2
Для конденсатора С3: SС3=SД == см2
расcчитать добротність Qiконденсатора за формулою:
Qi=1/tgdi,
гдеtgdi=tgdД + tgdоб; Dд=0,001 - тангенс кута діелектричних втрат в діелектрику на частоті 1кГц, який є постійною довідкової величиною, його значення береться з табл. 1.2.1;
tgdоб - тангенс кута втрат в обкладках конденсатора, який визначається за формулою:
Dоб=4p | Ci (rв + rн) / 1012,
де f=1000 Гц - частота, на якій вимірюються втрати; Ci - номінал ємності конденсатора [пФ];
rв і rн - опору відповідно верхній і нижній обкладок конденсатора, [Ом], для конденсатора квадратної форми rв=rн =? Sобкл=0,2 Ом /?, значення береться з табл.4.5 методичних вказівок (0.06 ... 0.1) . Для алюмінієвих обкладок: Для конденсатора Cl:
Для конденсатора C2:
Для конденсатора C3:
Визначимо загальну площу конденсаторів на підкладці ІМС.
Загальна площа S CG тонкоплівкових конденсаторів на підкладці розраховується за формулою:
де G - кількість конденсаторів на підкладці ІМС.
см2.
Після проведених розрахунків конденсатори, розташовані на підкладці ІМС, зображені на рис. 3.2.2 (масштаб 20:1):
Ріс.3.2.2
3.3 Розрахунок плівкових провідників і контактних майданчиків ІМС
Вибір матеріалу провідників і контактних майданчиків проводитися з табл. 1.2 і 1.5 відповідно з варіантом. Для забезпечення високої технологічності при виробництві ІМС плівкові провідники та контактні площадки виготовляються з одного і того ж матеріалу - алюмінію з подслоем ніхрому. Визначення геометричних параметрів з'єднувальних провідників.
Довжина l inp i-гo провідника, з'єднаного з резистором номіналом R i, визначається, виходячи з умови:
R iпр=r Sпр? iпр / b iпр? R пр.доп=(0,1 ... 0,2)? D R i? R i,
де r Sпр - питомий поверхневий опір матеріалу провідника r Sпр=0,1 Ом /?; b iпр - ширина провідника; d R i - відхилення від номіналу R i, задане у вихідних даних (див. табл. 1.1).
Тоді:
? iпр? (0,1 ... 0,2) b iпр? D R i? R i / r Sпр.
Ширина b iпр i-го провідника задається, виходячи з умови, що b iпр не більше ширини резистивної плівки b розр (див. формулу (4.13)) і відповідає технологічним об...
