іполярних транзисторів. Найбільш часто реалізується
схема із загальним витоком (а), оскільки дає більше посилення по струму і потужності. Схема із загальним затвором (б) посилення по струму майже не дає і має малий вхідний опір. Тому така схема на практиці мало застосовується. Схема із загальним стоком (в) називається істокового повторителем, її коефіцієнт посиленням становить порядку одиниці, таку схему використовують найчастіше для розв'язки каскадів посилення, так як її вхідний опір велике, а вихідний мало.
3. Застосування польових транзисторів
Польові транзистори знайшли широке застосування в радіоелектроніці. МДП-транзистори мають дуже високий вхідний опір (RBX> 1014 Ом, іноді до 1017 Ом). Параметри МДП-транзисторів менше залежать від температури, ніж біполярних. Польові транзистори можуть працювати при низьких температурах. Їх параметри досить стабільні в часі навіть при негативних зовнішніх впливах, включаючи радіацію, тому вони можуть бути використані в бортової апаратури космічних апаратів. Технологія виготовлення польових транзисторів вельми проста, тому при їх виготовленні відсоток браку істотно менше, ніж при виготовленні біполярних транзисторів. При виготовленні інтегральних схем на основі польових транзисторів можна домогтися високої щільності розташування елементів, значно вище (приблизно на порядок), ніж для біполярних транзисторів. На основі МДП-транзисторів можуть бути виготовлені резистори для монолітних інтегральних мікросхем. Вони також можуть використовуватися в логічних схемах, їх застосовують в обчислювальній техніці. При всіх своїх перевагах польові транзистори володіють такими недоліками, як малий коефіцієнт посилення і менший, ніж у біполярних частотний діапазон, тому їх використовують в пристроях з частотами до декількох мегагерц. Створення гібридних мікросхем з поліпшеними характеристиками можливо при спільному застосуванні польових і біполярних транзисторів. Польові транзистори застосовують у схемах підсилювачів, генераторів, перемикачів.
4. Перспективи розвитку
Світловипромінювальний органічний польовий транзистор [11].
Винахід відноситься до області оптики, зокрема до електролюмінесцірующім наноструктур, і може бути використано при створенні пристроїв для відображення алфавітно-цифрової і графічної інформації. Суть винаходу полягає в тому, що активний шар виконаний у вигляді органічної матриці з впровадженими в неї двокомпонентними (ядро-оболонка) напівпровідниковими наночастинками. Діаметр напівпровідникового ядра наночастинок може змінюватися в межах 2.0-6.0 нм а товщина напівпровідникової оболонки може змінюватися в межах 1.0-3.0 нм для перебудови довжини хвилі випромінювання в межах 400-650 нм видимого спектра. Винахід може бути використано для створення світловипромінюючих органічних польових транзисторів з високим квантовим виходом люмінесценції і регульованим спектром випромінювання у видимому діапазоні довжин хвиль, що важливо для створення алфавітно-цифрових дисплеїв нового покоління.
Створення графенових транзисторів [12]. Дослідники з HRL Laboratories оголосили про створення графенових польових транзисторів, в яких рухливість зарядів в 6 - 8 разів перевищує можливості сучасних кремнієвих технологій. Для кремнію експериментально виміряна рухливість зарядів в кремнії складає близько 1400 квадратних сантиметрів на вольт в секунду, для в графена рухливість може досягати 200 тисяч см2 /...
