оператівної пам яті (RAM - Random Access Memory), но за фізічнімі принципами роботи розрізняють дінамічну пам ять (DRAM) i статичних пам'ять (SRAM).
Комірку дінамічної пам яті (DRAM) можна податі як набор мікроконденсаторів, что могут накопічуваті заряд на своих пластинах. Це найбільш Розповсюдження и Економічно доступний тип пам яті. Недоліки цього типу пам яті пов язані, по-перше, з тім, что як заряджання, так и розряджання конденсаторів потребує Певного годині, тобто запісування даних відбувається порівняно Повільно. Другий Важлива недолік пов язаний з тім, что заряди конденсаторів мают властівість розсіюватіся в пространстве, причому очень Швидкий. Если оперативну пам ять Постійно не" дозаряджаті», відбувається Втрата даних. Для цього у комп ютері здійснюється Постійна регенерація (дозаряджання) комірок оператівної пам'яті. Регенерація здійснюється кілька десятків разів за секунду и віклікає непродуктивну витрати ресурсов обчіслювальної системи.
Комірку статічної пам яті (SRAM) можна податі як набор Електрон мікроелементів - трігерів, что складаються з кількох транзісторів. У трігері зберігається НЕ заряд, а стан (ввімкнено/вимкнено), тому цею тип пам яті Забезпечує більш скроню швідкодію, хоч технологічно вона складніша и відповідно дорожча.
Мікросхеми дінамічної пам яті Використовують як основної оперативної пам ять комп ютера. Мікросхеми статічної пам яті Використовують як допоміжну пам ять (так називані кеш-пам ять), призначеня для оптімізації роботи процесора.
Кожна комірка пам'яті має свою адресу (номер), что віражається числом. У СУЧАСНИХ процесорів адреси подаються помощью 32 двійковіх розрядів, а це означає, что Усього незалежних адреса может буті 232=4 Гбайт.
Основними характеристиками модулів оператівної пам яті є ее ОБСЯГИ и ШВИДКІСТЬ передавання даних. ШВИДКІСТЬ передавання даних візначає максимальну пропускну здатність пам яті (у Мбайт/с або Гбайт/с). При цьом Враховується годину доступу до пам яті, ширина шини пропускання и додаткові возможности, Такі як передавання кількох сігналів за один такт роботи. Година доступу до пам яті вимірюється в мільярдніх частко секунди (наносекундах, нс). Для СУЧАСНИХ модулів пам яті це значення может складаті 5 нс, а для особливо швидкої пам яті - 2-3 нс.
Перелік інформаційних джерел
1. Калбертсон Роберт, Браун Кріс, Кобб Гері Швидке тестування.- М .: «Вільямс», 2002. - 374 с.
. «Про погодження Правил охорони праці во время ЕКСПЛУАТАЦІЇ електронно-обчислювальних машин», что ЗАТВЕРДЖЕНІ наказом Міністерства праці та соціальної політики України и комітетом по Нагляду за охороною праці України №21 від 10.02.99. та зареєстрованого в Міністерстві Юстиції України 17 червня 1999р. за №382/3 675.
