Діагностичний аналоговий інтерфейс ДАЇ - 8 призначений для вимірювання параметрів аналогового сигналу фазочувствительного рейкових кіл (ФРЦ) і тональних рейкових кіл (ТРЦ) третього і четвертого поколінь по восьми диференціальним каналах (8 * 2 точок підключення).
ДАН, побудований на основі сигнального процесора ADSP - 2189M і використовує алгоритми цифрової обробки сигналів для отримання вимірюваних діагностичних параметрів. У тональних рейкових колах вимірюються: частота сигналу в ланцюзі; амплітуда сигналу; амплітуда шуму, в паузі між імпульсами; період модуляції; тривалість імпульсу.
У фазочувствительного рейкових колах вимірюються: напруга на колійному елементі приймача; напруга живлення (променеве напруга) рейкового кола; кут зсуву фаз між напругами місцевого та колійного елементів приймача рейкового кола.
Прилад RIO - 7017F призначений для діагностування форми і напруги кожного фідера харчування, осідань, кидків напруги, вимірювання струму стрілки, фіксації форми кривої струму при переводі стрілки. RIO - 7017F являє собою модуль восьмиканального аналого-цифрового дельта-сигма перетворювача. RIO - 7017F працює спільно з пристроєм нормалізації сигналів УНС-П.
УНС-П складається з восьми прецизійних випрямлячів, спеціалізованих для конкретних джерел сигналів станційних електроживлячих панелей. УНС - 4 містить вхідні перетворювачі сигналів ФРЦ і ТРЦ і може застосовуватися спільно із зовнішніми вимірювачами (ДАЇ - 8, аналого-цифровий перетворювач контролера КТС КК) або самостійно, використовуючи вбудований модуль аналого-цифрової обробки. УНС - 4 розташовується на одному з центральних стативов РЦ (променева організація структури) на місці верхньої клеми.
Для вимірювання параметрів сигналу в рейкових колах з кількістю підключень більше восьми і опору ізоляції кабельних мереж використовуються пристрої комутації аналогових сигналів АК, що забезпечують підключення точок вимірювання РЦ і кабельних мереж до УНС - 4. АК встановлюються замість однієї верхньої клеми статива (кросового статива ). Модуль аналогового комутатора містить захисні резистори номіналом не менше 51 кОм в кожному подключаемом дроті lt; # justify gt; Проте зі збільшенням температури відбувається зменшення прямого падіння напруги, що позитивно відбивається на втратах потужності, але в той же час вказує на те, що в роботі діода з'являються деякі відхилення. Таким чином, падіння напруги і динамічний опір знаходяться між собою в прямій залежності і впливають на тепловий опір, тому величину? U також можна вважати діагностичним параметром. Спочатку вимірюють? U при температурі плюс 20 ° С, потім - плюс 140 ° С, порівнюють результати вимірювань і встановлюють діагноз. При різниці падінь напруги більше 0,14 В діод має предотказное стан і підлягає заміні. Як видно з умов вимірювань, схема діагностування досить складна, вимагає великих витрат на діагностування і мало придатна для вбудованого безрозбірного діагностування.
Зворотний струм Iобр діода характеризує як внутрішній стан кремнієвої структури, так і технічний стан конструкції діодохладітель-випрямного блоку. Для обгрунтування вибору діагностичного параметра значення зворотного струму необхідно розглянути процеси, що проходять в умовах експлуатації в випрямному блоці, які впливають на значення зворотного струму діода або тиристора, і ті закони, за якими йде процес старіння і руйнування конструкції. Особлива увага повинна бути приділена тим факторам, які сприяють зростанню зворотного струму Iобр. Струм витоку складається з струму витоку всередині діода і на зовнішній поверхні. На значення струмів витоку впливає порушення герметичності, наявність вологи всередині діодів, низька якість захисту поверхні випрямного елемента і потрапляння різних хімічних елементів разом з повітрям. Попадання вологи на поверхню випрямного елемента, навіть вельми в малій кількості, порушує його вентильні властивості. Волога внаслідок електролізу різко знижує опір діода, що призводить до збільшення зворотного струму і можливого поверхневому пробою.
Струм насичення IS повністю залежить від концентрації неосновних носіїв і не залежить від значення зворотної напруги. Концентрація неосновних носіїв залежить від температури експоненціально. А це означає, що і зворотний струм, визначається щільністю неосновних носіїв. Якщо виходити з того, що час життя неосновних носіїв експоненціально зростає із збільшенням температури, то відбувається і зростання самих носіїв, що призводить до появи прирощення зворотного струму, званого струмом термогенерации Iт. Таким чином, будь-які відхилення від температурного режиму всередині pn-переходу призводять до підвищення числа носіїв і до збільшення коефіцієнта дифузії. Якщо в електричному ланцюзі випрямного діодного або тиристорного випрямляча мається індуктивність, то до розг...
