ерному розчині HF, нм/мін100Лінія ІЧ поглинання, мкм9.3Коеффіціент теплового розширення, С - 1 5 * 10 - 7 Механічні напруги в оксиді, дин/см 2
Висновок
Термічне окислення кремнію, дозволяє отримати високоякісний діелектрик на поверхні кремнію, володіє в той же час поряд обмежень і недоліків. До них відноситься, насамперед, висока температура процесу, що створює великі труднощі в технології, особливо при окисленні пластин, на яких вже сформовані структури елементів ІМС. Ці структури при тривалій високотемпературній обробці значно змінюють свої характеристики. Тому доводиться вводити суттєві поправки в розрахунки, що враховують вплив дифузійних процесів в структурах ІМС при високих температурах. Крім того, термічним окисленням можна отримувати тільки SiO 2, а технологія ІМС використовує й інші діелектрики, особливо для пристроїв, виконуваних не з кремнію, а з різних напівпровідникових сполук (GaAs, GaP і т.п.).
При виготовленні СВЧ ІМС на основі кремнію термічне окислення ускладнює формування прецизійних структур, так як не дозволяє формувати точні конфігурації областей вигинів.
Для подолання цих недоліків у технології ІМС були розроблені методи формування діелектричних плівок осадженням їх з газової або парової фаз за допомогою хімічних реакцій або термовакуумного випаровування.
Література
1. Парфьонов О.Д. «Технологія мікросхем: Учеб. посібник для вузів ».- М .: Вища. шк., 1986. - 320 с., іл.
. Черняєв В.Н. «Технологія виробництва інтегральних мікросхем і мікропроцесорів: підручник для вузів».- 2-е изд., Перераб. і доп.- М .: Радіо і зв'язок, 1987. - 464 с .: ил.
. Курносов А.І., Юдін В.В. «Технологія виробництва напівпровідникових приладів та інтегральних мікросхем: Учеб. посібник для студентів вузів ». 2-е изд., Перераб. і доп.- М .: Вища. школа, 1979. - 367 с., іл.
1. Іваново-Есипович Н.К. «Фізико-хімічні основи виробництва радіоелектронної апаратури: Учеб. посібник для вузів.- 2-е изд., Перераб. і доп.- М .: Вища. школа, 1979. - 205 с
