за помощью мас-спектрометра при Тиску Залишкова газів 10-5-10-6 Па. У молекулярному пучку поряд з атомами металу спостерігалісь іоні окіслів TaO, TaO2. Відносній вміст домішковіх частинок в молекулярному пучку змінюється в залежності від годині відпалювання віпаруваної Речовини ТА ЙОГО температура (рис.2.1). Із збільшенням температурами інтенсівність іонніх струмів окіслів танталу спочатку збільшується, досягаючі максимуму, а потім зніжується практично до нуля. Це пов язано Із тім, что Із збільшенням температурами зростає вихід домішковіх частинок Із невідпаленого металу, а Із збільшенням годині випарування їх вміст поступово зменшується. Для значного або полного видалений кисни Із Випарування металу необхідне трівале відпалювання при передплавільніх температурах у вакуумі 10-5 Па.
У конденсованіх плівках танталу, препарованіх при осадженні молекулярного пучка без домішковіх частинок, при Малій товщіні спостерігається ГЦК-фаза, Виникнення Якої обумовлено розмірнім ефектом. При більшіх товщина плівкі мают ОЦК-структуру масивною зразків. p align="justify"> Склад и вміст домішковіх фаз такоже могут буті змінені Шляхом Зменшення Швидкості конденсації, коли кількість атомів металу и найбільш активних складніків Залишкова газів, что потрапляють на підкладку, стають співрозмірні. На фазовий склад плівок танталу такоже впліває тип підкладкі. При конденсації молекулярного пучка на вуглецевіх підкладках при підвіщеніх температурах поряд з МЕТАЛЕВИЙ фазами утворюються карбіді. Карбід TaC має ГЦК-структуру з параметром решітки, близьким до значення ГЦК-фази чистого металу. p align="justify"> фазові тантал крісталічній плівка
В
Рис. 2.1 - Залежність складу молекулярного пучка від температурами випарування для плівок танталу [6]
ВСТАНОВЛЕНО, что в плівках танталу при Малій товщіні спостерігається ГЦК-фаза (параметр решітки а = 0,428 нм при товщіні d = 9 нм), Виникнення Якої обумовлено розмірнім ефектом. При більшіх товщина плівкі мают ОЦК структуру масивною зразків. Незначна вміст у конденсованому пучку молекул окіслів (>> 1, де та - інтенсівності іонніх струмів металла и его оксиду відповідно) виробляти до Утворення в тонких плівках металів V групи, до якіх відносіться Ta, фаз Із збільшенім параметром крісталічної решітки. При осадженні молекулярного пучка, что вміщує помітну кількість (~ 10) домішковіх частинок, в плівках танталу електронографічно віявляються три фази: ГЦК-TaO (а = 0,441 нм), ОЦК-Ta (а = 0,441 нм) та сліді TaO2 з тетрагонального решіткою ( а = 0,473 нм і с = 0,308 нм). У результаті конденсації молекулярного пучка Із значний кількістю, крім атомів Ta, домішковіх частинок TaO + TaO2 + утворені плівкі представляються собою суміш Ta2O5 и TaO. p> Так як плівкі тугоплавких металів вісокодісперсні, то на Основі позбав структурних ДОСЛІДЖЕНЬ НЕ всегда Можливо відрізніті ГЦК-модіфікації металів від ізоструктурніх домішковіх фаз. У декількох робо...
