ути, однак, подолана використанням дуже малих кількостей досліджуваної речовини (при неминучому збільшенні похибки вимірювань). При роботі на низьких частотах (<1 МГц) широке застосування знаходять різні мостові схеми (типу моста Шеренга), методика роботи, на яких в даний час досить добре розроблена [9]. br/>
.2 Паразитні параметри
Паразитні параметри. Реальні конденсатори, крім ємності, володіють також власними опором <# "108" src = "doc_zip224.jpg"/> <# "14" src = "doc_zip225.jpg"/> - власна ємність конденсатора;
- опір ізоляції конденсатора;
- еквівалентний послідовний опір;
- еквівалентна послідовна індуктивність.
Тангенс кута втрат - відношення уявної і дійсної частини комплексної діелектричної проникності. p> Втрати енергії в конденсаторі визначаються втратами в діелектрику і обкладаннях. При протіканні змінного струму через конденсатор вектори напруги та струму зрушені на кут, де - кут діелектричних втрат. При відсутності втрат. Тангенс кута втрат визначається ставленням активної потужності <# "20" src = "doc_zip233.jpg"/>, називається добротністю <# "183" src = "doc_zip234.jpg"/>
Рис. 11. Фотографія вимірювальної комірки. br/>
Вимірювальна комірка являє собою циліндричний конденсатор, обкладки якого виконані з міді, а підстави з стеклотексталіта, це потрібно для зменшення паразитної ємності. Його геометричні розміри:, гр. Розрахунок ємності конденсатора:, [9] де діелектрична постійна, відносна діелектрична проникність середовища між обкладинками. Оцінка ємності конденсатора: 10,02 пФ. br/>
.4 Калібрування
Були виконані вимірювання робочої та паразитної ємності за формулою (17) при використанні трьох хімічно чистих рідин, обраних у якості еталонних: вуглець чотирихлористий і трихлорметан. Дані речовини не відчувають дисперсії діелектричної проникності у вибраному діапазоні частот, хімічно неактивні до матеріалів вимірювальної комірки, мають значення діелектричної проникності, близьке до значення нафти, в межах 3-5 одиниць. p> У таблиці 2.1,3.1,2.2,3.2 представлені результати вимірювань діелектричних властивостей еталонних рідин для двох осередків відповідно. Де ємність вимірювального контуру при підключенні конденсатора з досліджуваної рідиною, відповідно добротність. У таблиці 1 наведені середні значення діелектричної проникності еталонних рідин, отриманих за різними літературними даними [4]. br/>
Таблиця 1.
Середні значення при,
2.224451Тріхлорметан4.8
Осередок № 1
Таблиця 2.1. (чотирихлористого вуглецю)
№
